[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、形成具有预定导电型杂质掺杂浓度的p型半导体衬底；

S2、在所述p型衬底上生长埋氧层后，在所述埋氧层上形成n型外延层；

S3、在所述n型外延层的一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p-/p+基区；在所述n型外延层的另一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p+环；在所述p-/p+基区形成预定深度的n+区；

S4、在所述p-/p+基区上形成第一栅极和阴极，并在所述p+环上形成阳极，在所述阴极和阳极之间形成第二栅极。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述n+区通过离子注入工艺注入n型杂质离子形成。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，还包括步骤：

S5、在所述阴极和阳极之间增加形成第三栅极和一个P+环。

4.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，还包括步骤：

S6、在所述阴极和阳极之间增加形成第四栅极、第五栅极、第六栅极、第七栅极和4个对应的P+环。