[发明专利]MEMS面内位移测量方法在审

专利信息
申请号: 201510644305.0 申请日: 2015-10-08
公开(公告)号: CN105203033A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 罗元;赖翔;张毅;李述洲;王兴龙 申请(专利权)人: 重庆平伟实业股份有限公司
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02;B81B7/02
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 郭云
地址: 405200 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: mems 位移 测量方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS面内位移测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,获取两幅MEMS图像:一幅图像为零相位时刻的MEMS微结构图像作为样本图像,另一幅图像为不是零相位时刻的MEMS微结构运动图像作为目标图像;

S2,在样本图像中选取样本子区f(x,y),在目标图像中选取目标子区g(x,y);

S3,对两幅子区图像进行分形插值处理;

S4,将分形处理后的子区图像进行傅立叶变换;

S5,将步骤S4中变换后的图像进行滤波,得到样本子区涡旋图像和目标子区涡旋图像;

S6,计算涡旋点偏心率参数和相位参数,为涡旋图像重新赋值;

S7,寻找最佳匹配,获得位移值。

2.根据权利要求1所述的MEMS面内位移测量方法,其特征在于,样本子区f(x,y)与目标子区g(x,y)存在以下关系:

g(x,y)=f(x+u,y+v),

其中,(u,v)是样本子区f(x,y)与目标子区g(x,y)之间相对平移大小。

3.根据权利要求1所述的MEMS面内位移测量方法,其特征在于,分形插值处理的计算方法为:

对两幅子区图像进行基于随机中点的分形插值处理,随机中点位移法用(xmi,ymi)表示内插点:

xmi=(xi+xi+1)/2+s·w·rand(),

ymi=(yi+yi+1)/2+s·w·rand(),

其中,(xi,yi)表示第i个像素点的像素坐标,(xi+1,yi+1)是(xi,yi)点在像素坐标上的横坐标和纵坐标分别增加1后的邻点坐标;s和w分别依次为控制左右移动方向和移动距离的参数,rand()为随机变量;用正态随机函数stdev*N(0,1)表示随机变量s·w·rand(),其中stedv表示基于样本估算标准差,N(0,1)是标准正态分布;

设图像的像素点为(i,j):

当i,j均为奇数时,插值点的灰度值为已知,灰度值用I表示;

当i,j均为偶数时,插值点的灰度值为:

I=[I(i-1,j-1)+I(i+1,j+1)+I(i-1,j+1)+I(i+1,j-1)]/4+ΔI;

当i,j为一奇一偶时,插值点的灰度值为:

I=[I(i-1,j)+I(i,j+1)+I(i,j+1)+I(i+1,j)]/4+ΔI;

其中参数G为高斯随机变量,服从N(0,1)分布,H为分形参数,表示新区间的标准偏差的变化,可以生成各种FBM曲面;σ为像素灰度的均方差。

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