[发明专利]MEMS面内位移测量方法在审
申请号: | 201510644305.0 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN105203033A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 罗元;赖翔;张毅;李述洲;王兴龙 | 申请(专利权)人: | 重庆平伟实业股份有限公司 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;B81B7/02 |
代理公司: | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人: | 郭云 |
地址: | 405200 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 位移 测量方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种MEMS动态测量方法研究领域,特别是涉及一种MEMS面内位移测量方法。
背景技术
微机电系统(MEMS:Micro-electro-Mechanical-Systems)是在微电子工艺的基础上发展的多学科交叉的前沿研究领域,涉及微机械学、微电子学、自动控制、物理、化学、生物以及材料学等多种工程技术和科学。MEMS的技术发展开辟了一个全新的技术领域和产业,采用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等有体积小、质量轻、功耗低、可靠性强、易于智能化、数字化等优点,所以在精密机械、信息通信、航空航天、生物医疗及军事等广阔领域中都有着十分重要的应用前景。通过高集成化和微型化等多种手段来探索实现MEMS器件的新原理和新功能,这是一个完全崭新的领域,未来必然是国民经济和军事科研等重要领域的知识增长点和创新点。MEMS技术将逐渐在国家经济的发展、科研技术的进步以及国防事业的保障中起到不可磨灭的作用。
MEMS从设计到封装的各个环节都贯穿着测量的需求,高效的测量方法不但为加工质量、重复性及加工水平提供了定性或定量的评价,同时也为封装过程提供了有效的测量手段,能够及时发现封装问题,提高了产品的良品率。另外,测量结果也是评价器件结构或系统性能好坏的基础。而在MEMS的动态特性测试研究中,MEMS面内位移测量是一项重要内容,相应的测量需求也变得越来越迫切。因此MEMS动态测试理论和方法的研究对微机电系统MEMS设计、制造和可靠性具有非常重要的意义。
在国内外,MEMS动态测试技术已得到了许多研究机构的高度重视,美国UCBerkeley大学BSAC研究中的ChristianRembe等研制的MEMS动态测试仪,集成了频闪微视觉和干涉技术,采用最小二乘法和相移算法等,可测试MEMS器件的三维实时运动和动态结构变形,实现高精度的面内测量。美国MIT微系统实验室Freeman教授领导的研究小组研制的基于计算视觉的MEMS动态测试系统。天津大学在MEMS动态特性测试的研究中取得了较大发展。华中科技大学谢勇君等采用集成频闪成像、计算机微视觉和显微干涉技术,研制了MEMS三维静动态测试系统,系统可进行MEMS面内刚体运动、表面形貌、垂向变形等测量,并达到纳米级精度。但以上研究为获得高精度测量结果,需做大量相关运算,计算量较大,无法实时测量。且对散斑图像采用传统插值算法会导致图像平滑,使最终求解位移时相关运算中测量结果出现误差。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题,创新地提出了一种基于图像处理的MEMS面内位移测量方法。
为了实现本发明的上述目的,本发明提供了一种MEMS面内位移测量方法,包括以下步骤:
S1,获取两幅MEMS图像:一幅图像为零相位时刻的MEMS微结构图像作为样本图像,另一幅图像为不是零相位时刻的MEMS微结构运动图像作为目标图像;
S2,在样本图像中选取样本子区f(x,y),在目标图像中选取目标子区g(x,y);S3,对两幅子区图像进行分形插值处理;
S4,将分形处理后的子区图像进行傅立叶变换;
S5,将步骤S4中变换后的图像进行滤波,得到样本子区涡旋图像和目标子区涡旋图像;
S6,计算涡旋点偏心率参数和相位参数,为涡旋图像重新赋值;
S7,寻找最佳匹配,获得位移值。
本发明不需要采用激光器作为光源的数字散斑相关测量光路,而是直接采用普通照明情况下由显微成像系统采集的图像进行处理,获得MEMS在面内的亚像素级位移。
在本发明的一种优选实施方式中,样本子区f(x,y)与目标子区g(x,y)存在以下关系:
g(x,y)=f(x+u,y+v),
其中,(u,v)是样本子区f(x,y)与目标子区g(x,y)之间相对平移大小。
在本发明的一种优选实施方式中,分形插值处理的计算方法为:
对两幅子区图像进行基于随机中点的分形插值处理,随机中点位移法用(xmi,ymi)表示内插点:
xmi=(xi+xi+1)/2+s·w·rand(),
ymi=(yi+yi+1)/2+s·w·rand(),
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