[发明专利]界定半导体结构的隔离区域的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：

提供具有凹口于其中的半导体结构；

在该半导体结构中的该凹口内保形布置绝缘体层以部分填充该凹口；

通过以至少一物种的气体团簇轰击该绝缘体层修改该绝缘体层的至少一种材料特性以在该凹口内获得致密化绝缘体层，其中，与该绝缘体层的厚度相比，轰击该绝缘体层包括控制该气体团簇于该绝缘体层的上表面内提供局部化高能量冲击其在微微秒的时标生成不高于摄氏1200度的高退火处理温度以缩减该致密化绝缘体层的厚度至少10％；以及

在该致密化绝缘体层上方于该凹口内沉积至少一个附加绝缘体层，其中，该凹口内的该致密化绝缘体层至少部分界定该半导体结构的隔离区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用该至少一物种的气体团簇轰击该绝缘体层，該气体团簇通过在高压气体绝热膨胀成真空期间凝结个别气体原子或分子所形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该轰击部分使用气体团簇离子束程序。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，该至少一物种的气体团簇包含下列的至少一者：氩(Ar)、水(H₂O)、氩加水(Ar+H₂O)、二氧化碳(CO₂)、臭氧(O₃)或一氧化碳(CO)分子。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该布置该绝缘体层包含于该凹口内保形提供单体先驱物材料，并且其中，该修改包含轰击该绝缘体层以促使解离该单体先驱物材料，用以获得该致密化绝缘体层及至少一种副产物材料，该轰击将该至少一种副产物材料从该致密化绝缘体层移除。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，该修改包含利用离子束能量轰击该绝缘体层以于该绝缘体层的上表面内提供局部化高能量交互作用，该高能量交互作用缩减该绝缘体层的该厚度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，该修改包含以垂直于该半导体结构的入射角轰击该绝缘体层，用以促使依该入射角的方向缩减该绝缘体层的厚度。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，该绝缘体层包含氧基硅烷先驱物材料，并且其中，该致密化绝缘体层包含至少部分由修改该具有该氧基硅烷先驱物材料的该绝缘体层而获得的交联氧化物材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，该布置该绝缘体层包含提供寡聚先驱物材料，并且其中，该修改包含轰击该绝缘体层以将该寡聚先驱物材料转换成寡聚氧化物材料，该轰击解离该寡聚氧化物材料以获得该致密化绝缘体层及至少一种副产物材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，该轰击该绝缘体层促使移除布置于其中的该至少一种副产物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，该修改进一步包含退火该绝缘体层以促使至少部分氧化该绝缘体层，用以形成寡聚氧化物材料及至少一种副产物材料，并且其中，该轰击偏向移除该至少一种副产物材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，该绝缘体层包含寡氮硅烷(oligo-azasilane)先驱物材料，并且其中，该致密化绝缘体层包含由修改具有该寡氮硅烷先驱物材料的该绝缘体层至少部分而获得的交联氧化物材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，该修改包含利用该至少一物种的气体团簇轰击该绝缘体层以促使降低其拉伸应力。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，该致密化绝缘体层包含第一材料层，并且该附加绝缘体层包含第二材料层，该第一材料层与该第二材料层为不同材料层。