[发明专利]制造显示装置的装置和方法有效
申请号: | 201510645298.6 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN105489630B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 许明洙;高东均;张喆旼;金圣哲;金仁敎;卢喆来 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 显示装置 装置 方法 | ||
1.一种用于制造显示装置的装置,其特征在于,所述用于制造显示装置的装置包括:
室;
无机层形成喷嘴单元,设置在所述室中并被配置为形成至少一个无机层;
有机层形成喷嘴单元,设置在所述室中并被配置为形成至少一个有机层,其中,所述有机层形成喷嘴单元与所述无机层形成喷嘴单元直列地布置;以及
分隔喷嘴单元,设置在所述无机层形成喷嘴单元与所述有机层形成喷嘴单元之间并被配置为喷射惰性气体,
其中,所述无机层形成喷嘴单元、所述有机层形成喷嘴单元和所述分隔喷嘴单元设置在相同的室中,
其中,所述无机层形成喷嘴单元包括被配置为供给吹扫气体的吹扫气体供给喷嘴。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括被配置为在所述无机层形成喷嘴单元与所述分隔喷嘴单元之间以及所述有机层形成喷嘴单元与所述分隔喷嘴单元之间抽吸所述室中的气体的吸气单元。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括设置在所述室中并被配置为直线地移动的传送器,其中,所述传送器还被配置为接收其上形成有显示单元的基底。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元还包括:
源气体供给喷嘴,包括第一空间,源气体被供给到所述第一空间以被喷射;以及
等离子体供给喷嘴,包括第二空间,反应气体被供给到所述第二空间以产生等离子体,所述等离子体供给喷嘴被配置为向外部喷射所述等离子体,
其中,所述吹扫气体供给喷嘴与所述源气体供给喷嘴和所述等离子体供给喷嘴中的至少一个分开。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述等离子体供给喷嘴包括:
反应气体供给单元,设置在所述第二空间中并包括第三空间,通过所述第三空间供给所述反应气体;以及
等离子体供给喷嘴主体,被配置为围绕所述反应气体供给单元以与所述反应气体供给单元形成所述第二空间,并被配置为与所述反应气体供给单元产生电势差以从所述反应气体产生所述等离子体。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元包括喷头,所述喷头被配置为供给沉积气体以形成活化的离子物种并被配置为喷射所述活化的离子物种。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元包括:
外部,形成外观;
绝缘单元,形成在所述外部中并在其中包括所述喷头;以及
第二电源单元,被配置为在所述外部与所述喷头之间产生电势差。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元、所述分隔喷嘴单元和所述有机层形成喷嘴单元顺序地布置。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元、所述分隔喷嘴单元和所述无机层形成喷嘴单元顺序地布置。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元,所述有机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元,或其组合。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述分隔喷嘴单元还形成在两个相邻的无机层形成喷嘴单元之间或两个相邻的有机层形成喷嘴单元之间。
12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括卸载器,所述卸载器被配置为从所述室卸载其上形成有显示单元和薄膜包封层的基底。
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述装置还包括与被配置为传送所述基底的所述卸载器连接的保护层形成单元,其中,所述保护层形成单元被配置为在所述薄膜包封层上形成保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510645298.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的