[发明专利]液晶显示面板、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

利用第一光罩在基板上形成低温多晶硅有源层；

利用第三光罩在所述低温多晶硅有源层上形成层间介电层，所形成的所述层间介电层上形成有两个导通孔，以暴露两部分低温多晶硅有源层；

对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理，以分别形成所述低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区；

至少在所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层；

利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层，并使所述源极层和漏极层分别通过所述层间介电层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区相连，其中形成有所述可控电阻间隔层的掺杂区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连；

其中，利用第一光罩在所述基板上形成低温多晶硅有源层之前或之后再利用第二光罩形成栅极层，所述可控电阻间隔层在所述栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在所述栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少在所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层的步骤包括：

在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上分别形成可控电阻间隔层，并且利用所述第四光罩在所述层间介电层上形成分别与源极层和漏极层对应的两个可控电阻间隔层；

所述利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层的步骤包括：利用所述第四光罩在所述层间介电层上的两个可控电阻间隔层上分别形成源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层分别通过源极掺杂区和漏极掺杂区上的可控电阻间隔层与所述源极掺杂区和漏极掺杂区相连。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述可控电阻间隔层为非晶硅层；

所述对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理的步骤包括：对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子注入，注入的离子的浓度大于或等于第一预定值，注入的离子为硼离子、磷离子或砷离子，

其中，所述第一预定值是能够使所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区为重掺杂区的离子浓度的边界值。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述可控电阻间隔层为非晶硅层；

所述对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理的步骤包括：对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子注入，注入的离子的浓度小于第一预定值，注入的离子为硼离子、磷离子或砷离子；

所述在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上均分别形成可控电阻间隔层的步骤之后，包括：对在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上的可控电阻间隔层进行离子注入，分别形成述源极掺杂区上的可控电阻间隔层的掺杂区和所述漏极掺杂区上的可控电阻间隔层的掺杂区，注入的离子的浓度大于或等于第二预定值，

其中，所述第一预定值是能够使所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区为重掺杂区的离子浓度的边界值，所述第二预定值是能够使所述源极掺杂区上的可控电阻间隔层的掺杂区和所述漏极掺杂区上的可控电阻间隔层的掺杂区为重掺杂区的离子浓度的边界值。