[发明专利]量子点彩膜的制备方法在审
申请号: | 201510646777.X | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN105242442A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 梁宇恒 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 点彩膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种量子点彩膜的制备方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点(QuantumDots,简称QDs)通常是由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的球形或类球形的半导体纳米微粒,粒径一般在几纳米至数十纳米之间。由于QDs的粒径尺寸小于或者接近相应体材料的激子波尔半径,会产生量子限域效应,其能级结构从体材料的准连续变为量子点材料的离散结构,导致QDs展示出特殊的受激辐射发光的性能。随着QDs的尺寸减小,其能级带隙增加,相应的QDs受激所需要的能量以及QDs受激后回到基态放出的能量都相应的增大,表现为QDs的激发与荧光光谱的“蓝移”现象,通过控制QDs的尺寸,使其发光光谱可以覆盖整个可见光区域。如硒化镉(CdSe)的尺寸从6.6nm减小至2.0nm,其发光波长从红光区域635nm“蓝移”至蓝光区域的460nm。
量子点材料具有发光光谱集中,色纯度高、且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节等优点,利用这些优点将其应用在显示装置中可有效地提升显示装置的色域及色彩还原能力。如专利CN102944943A、及专利US20150002788A1均提出了用具有图案结构的量子点层替代彩色滤光膜(ColorFilter)以达到彩色显示目的的技术方案,但是该些专利并未对量子点层图形化的方法进行说明。
现有量子点显示装置在制作量子点图形时,通常首先将红色、绿色、及蓝色量子点材料对应地与红色、绿色、及蓝色量子点光刻胶混合,然后进行曝光、显影形成含有量子点的图形,但是此种方法需事先将红色、绿色、蓝色量子点分别与红色、绿色、及蓝色量子点光刻胶混合,需要进行3次光刻制程,制程繁琐,并且至少要同时开发红色和绿色的量子点光刻胶,量子点光刻胶开发难度高。除上述方法以外,还可以通过转印、网印等方法来制作量子点图形,但是转印的方法所得到的量子点图形分辨率不高,图形边缘呈现锯齿状,并且量子点层与基体的黏着力有待提高;而喷墨打印形成图形化量子点层的方法对喷墨打印设备要求很高,如何保证喷墨墨滴的稳定性及打印精度仍有技术壁垒,仍不能大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点彩膜的制备方法,能够节省一道光刻工艺,简化制程,节约成本,提高生产效率,并降低量子点光刻胶的开发难度和成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种量子点彩膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、提供基板,所述基板包括数个蓝色子像素区域、绿色子像素区域、及红色子像素区域;在所述基板上涂布一层透明有机光阻材料,形成透明有机光阻层;
步骤2、通过光刻工艺对所述透明有机光阻层进行图案化处理,去掉透明有机光阻层上对应所述蓝色子像素区域以外的部分,得到图案化的透明有机光阻层,所述图案化的透明有机光阻层作为量子点彩膜的蓝色子像素部分;
步骤3、对所述图案化的透明有机光阻层的上表面做疏水处理;
步骤4、在所述基板上涂布一层绿色量子点固化胶,所述绿色量子点固化胶不附着在图案化的透明有机光阻层上、而填充于图案化的透明有机光阻层与所述基板形成的凹槽内,经固化后,得到绿色量子点固化胶层,所述绿色量子点固化胶层对应于所述绿色子像素区域、及红色子像素区域;
步骤5、在所述基板上涂布一层红色量子点光刻胶,所述红色量子点光刻胶不附着在透明有机光阻层上、而填充于图案化的透明有机光阻层与所述绿色量子点固化胶层形成的凹槽内,得到红色量子点光刻胶层,所述红色量子点光刻胶层对应于所述绿色子像素区域、及红色子像素区域;
步骤6、通过光刻工艺对所述红色量子点光刻胶层进行图案化处理,去掉红色量子点光刻胶层上对应绿色子像素区域的部分,露出其下方的绿色量子点固化胶层,得到图案化的红色量子点光刻胶层;其中,所述绿色量子点固化胶层上对应于所述绿色子像素区域的部分作为量子点彩膜的绿色子像素部分,所述绿色量子点固化胶层上对应于所述红色子像素区域的部分及其上方图案化的红色量子点光刻胶层作为量子点彩膜的红色子像素部分。
所述步骤1还包括,在涂布一层透明有机光阻材料之前,在所述基板上通过光刻工艺形成黑色矩阵。
所述黑色矩阵将所述蓝色子像素区域、绿色子像素区域、及红色子像素区域间隔开。
还包括步骤7:经步骤6后,在露出的绿色量子点固化胶层的表面上形成一层绿色色阻层,在所述图案化的红色量子点光刻胶层的表面上形成一层红色色阻层。
所述步骤1中形成的透明有机光阻层的厚度为0-20μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510646777.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背光模组、液晶显示模组及手机
- 下一篇:光学式视觉窄边框的触控显示装置