[发明专利]一种可见光光敏电阻及其制作方法有效
申请号: | 201510647858.1 | 申请日: | 2015-10-09 |
公开(公告)号: | CN105206700A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 鲁道邦;宋玉玲;朱永胜;惠明;赵俊峰;孙国良 | 申请(专利权)人: | 南阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0328;H01L31/18 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 473061 河南省南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 光敏 电阻 及其 制作方法 | ||
1.一种可见光光敏电阻,包括陶瓷基体、光敏层和两个电极,所述的光敏层包覆在所述的陶瓷基体表面,所述的光敏层和所述的陶瓷基体形成可见光光敏电阻主体,两个电极分别安装在所述的可见光光敏电阻主体的两端,其特征在于所述的光敏层由以下组分组成:
所述的稀土氯化物为氯化铕、氯化铈和氯化镥中的一种或者为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥中两种或两种以上的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种光敏电阻,其特征在于稀土氯化物为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥的混合物,所述的稀土氯化物由以下组分组成:
3.根据权利要求1所述的一种可见光光敏电阻,其特征在于所述的光敏层的厚度为2-5微米。
4.根据权利要求1所述的一种可见光光敏电阻,其特征在于所述的陶瓷基体由纯度为93%以上的三氧化二铝制备而成。
5.一种权利要求1所述的一种可见光光敏电阻的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
①制备陶瓷基体;
②制备光敏溶液:
②-1按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物:
所述的稀土氯化物为氯化铕、氯化铈和氯化镥中的一种或者为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥中两种或两种以上的混合物。
②-2将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液,其中光敏溶液中,光敏层混合物的重量百分比为30%,离子水的重量百分比为70%;
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面,形成光敏层;
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后,再在380-1300℃高温下烧结15分钟,得到可见光光敏电阻主体。
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端,得到光敏电阻。
6.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法,其特征在于稀土氯化物为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥的混合物,所述的稀土氯化物由以下组分组成:
7.根据权利要求5所述的一种可见光光敏电阻的制作方法,其特征在于所述的步骤④之后,所述的步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤,所述的涂隔离层的步骤为:在光敏层的表面喷涂隔离层,隔离层的材料为环氧树脂。
8.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法,其特征在于所述的步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面,喷涂次数为3-4次,所述的光敏层的厚度为2-5微米。
9.根据权利要求5所述的一种可见光光敏电阻的制作方法,其特征在于所述的陶瓷基体由纯度为93%以上的三氧化二铝制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的