[发明专利]一种可见光光敏电阻及其制作方法有效
申请号: | 201510647858.1 | 申请日: | 2015-10-09 |
公开(公告)号: | CN105206700A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 鲁道邦;宋玉玲;朱永胜;惠明;赵俊峰;孙国良 | 申请(专利权)人: | 南阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0328;H01L31/18 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 473061 河南省南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 光敏 电阻 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可见光光敏电阻,尤其是涉及一种可见光光敏电阻及其制作方法。
背景技术
可见光光敏电阻主要用于各种光电控制系统,如光电自动开关门户、自动照明系统、自动给水装置、机械上的自动保护装置、光电计数器和光电跟踪系统等方面。
现有的可见光光敏电阻通常包括陶瓷基体、光敏层和两个电极,光敏层包覆在陶瓷基体表面,光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体,两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端。光敏电阻在室温条件下,全暗后经过一定时间测量的电阻值,称为暗电阻。光敏电阻在100Lux光照10秒后测得的电阻值,称为光敏电阻在该光照下的亮电阻;光敏电阻的暗电阻与亮电阻之比为光敏电阻的灵敏度,比值越大,灵敏度越高。灵敏度是光敏电阻的一个重要性能参数。光敏电阻灵敏度的高低主要由其光敏层的性能来决定,而光敏层的材料直接决定了其性能。
可见光光敏电阻的光敏层是将光敏溶液涂在陶瓷基体的表面后高温烧结而形成。传统的可见光光敏电阻的光敏层主要包括CdS(硫化镉)、CdSe(硒化镉)和CdCl2(二氯化镉)三种材料,光敏溶液是由CdS、CdSe和CdCl2三种材料混合后溶解在离子水中得到。传统的光敏电阻的灵敏度已不能满足现代光电控制系统的高精度要求。目前,人们通过在光敏层中添加CuCl2(二氯化铜)材料来提高光敏电阻的暗电阻并降低其亮电阻,从而提高光敏电阻的灵敏度。虽然添加CuCl2材料的方式可以提高光敏电阻的灵敏度,但是由于铜离子存在不稳定性,即一价铜离子和二价铜离子会互相变化,由此将导致光敏电阻在老化工艺后性能参数降低,稳定性较差,突出表现之一为废品率高,达到15%左右。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是提供一种灵敏度较高,且在老化工艺中稳定性较高的可见光光敏电阻。
本发明解决上述技术问题之一所采用的技术方案为:一种可见光光敏电阻,包括陶瓷基体、光敏层和两个电极,所述的光敏层包覆在所述的陶瓷基体表面,所述的光敏层和所述的陶瓷基体形成可见光光敏电阻主体,两个电极分别安装在所述的可见光光敏电阻主体的两端,所述的光敏层由以下组分组成:
所述的稀土氯化物为氯化铕、氯化铈和氯化镥中的一种或者为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥中两种或两种以上的混合物。
稀土氯化物为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥的混合物,所述的稀土氯化物由以下组分组成:
所述的光敏层的厚度为2-5微米。
所述的陶瓷基体由纯度为93%以上的三氧化二铝制备而成。
与现有技术相比,本发明的可见光光敏电阻的优点在于采用稀土氯化物取代CuCl,通过在光敏层材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比为0.1%的稀土氯化物,稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种或两种以上的混合物,并调整CdS、CdSe和CdCl2三种材料的配比,稀土氯化物含量很小,不会影响可见光光敏电阻的材料成本,且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三种材料组合在一起可以增加可见光光敏电阻的暗电阻,减小可见光光敏电阻的亮电阻,由此提高可见光光敏电阻的灵敏度,并且稀土氯化物的稳定性比Cu离子高,可见光光敏电阻在老化工艺中不容易产生变化,不但不会导致可见光光敏电阻其它性能参数的降低,而且可见光光敏电阻老化工艺中稳定性较高,废品率大幅降低;
当稀土氯化物为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥的混合物,稀土氯化物由以下组分组成:重量百分比为40%-45%的氯化钬、重量百分比为20%-25%的氯化铕、重量百分比为15%-20%的氯化铈以及重量百分比为15%-20%的氯化镥时,可见光光敏电阻的灵敏度可提高50%左右,废品率可控制在5%以内。
本发明所要解决的技术问题之二是提供一种可见光光敏电阻的制作方法,该制作方法制作得到的可见光光敏电阻灵敏度较高,且在老化工艺中稳定性较高。
本发明解决上述技术问题之二所采用的技术方案为:一种可见光光敏电阻的制作方法,包括以下步骤:
①制备陶瓷基体;
②制备光敏溶液:
②-1按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物:
所述的稀土氯化物为氯化铕、氯化铈和氯化镥中的一种或者为氯化钬、氯化铕、氯化铈和氯化镥中两种或两种以上的混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的