[发明专利]适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器

权利要求书

1.一种适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，其特征是，由Recyclingfoldedcascode放大级、摆率增强级和PSRR增强输出级组成；由由Recyclingfoldedcascode放大级输入差模信号Vin-和Vin+，经过cascode电流镜的摆率增强作用后，最终经过PSRR增强输出级到输出端Vout。

2.如权利要求1所述的适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，其特征是，Recyclingfoldedcascode放大级包括输入跨导增强级gm1和cascode电流镜。摆率增强级增强环路包括晶体管M3a-M3c、M4a-M4c、M11a-M11b、M12a-M12b；PSRR增强输出级包括晶体管M5-M10。

3.如权利要求1所述的适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，Recyclingfoldedcascode放大级由PMOS晶体管M1a、M1b、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10和NMOS晶体管M11a、M11b、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c组成。输入跨导级gm1由PMOS晶体管M1a、M1b、M2a、M2b组成。cascode电流镜由NMOS晶体管M11a、M11b、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c组成。

4.如权利要求1所述的适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，其特征是，具体的实施电路如下：所述的放大器由第一至第十一PMOS晶体管M0、M1a、M1b、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10以及第一至第十NMOS晶体管M11a、M11b、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c共二十一个MOS晶体管构成；其中：

第一、第六、第七PMOS晶体管M0、M5、M6的源极共同接供电电源VDD；所有PMOS晶体管M0、M1a、M1b、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10的衬底端接供电电源VDD；第一至第十NMOS晶体管M11a、M11b、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c的衬底接地GND；第五至第十NMOS晶体管M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c的源极共同接地GND；

第一PMOS晶体管M0的栅极接第一偏置电压Vb1，漏极接第二至第五PMOS晶体管M1a、M1b、M2a、M2b的源极；第二至第三PMOS晶体管M1a、M1b的栅极接输入端Vp；第四至第五PMOS晶体管M2a、M2b的栅极接输入端Vn；

第二PMOS晶体管M1a的漏极、第五NMOS晶体管M3a的漏极共同接第十PMOS晶体管M9的漏极和第九PMOS晶体管M8的栅极；第四PMOS晶体管M2a的漏极、第八NMOS晶体管M4a的漏极共同接第十一NMOS晶体管M10的漏极和第八PMOS晶体管M7的栅极；

第三PMOS晶体管M1b的漏极、第四NMOS晶体管M12b的漏极、第八至第九NMOS晶体管M4a、M4b的栅极共同接第三NMOS晶体管M12a的漏极；第五PMOS晶体管M2b的漏极、第二NMOS晶体管M11b的漏极、第五至第六NMOS晶体管M3a、M3b的栅极共同接第一NMOS晶体管M11a的漏极；第一NMOS晶体管M11a的源极接第六NMOS晶体管M3b的漏极；第三NMOS晶体管M12a的源极接第九NMOS晶体管M4b的漏极；第一至第四NMOS晶体管M11a、M11b、M12a、M12b的栅极共同接第二偏置电压Vb2；第七、第十NMOS晶体管M3c、M4c的栅极接第三偏置电压Vb3；

第六、第七PMOS晶体管M5、M6的栅极共同接第八PMOS晶体管M7的漏极和第十PMOS晶体管M9的源极；第十、第十一PMOS晶体管M9、M10的栅极共同接第三偏置电压Vb3；第六PMOS晶体管M5的漏极接第八PMOS晶体管M7的源极；第七PMOS晶体管M6的漏极接第九PMOS晶体管M8的源极；第九PMOS晶体管M8的漏极、第十一PMOS晶体管M10的源极共同接输出端Vout。