[发明专利]一种应用于场效应晶体管半导体材料的二维复合氢氧化物微米晶体及其制备工艺有效

申请号：	201510649296.4	申请日：	2015-10-09
公开（公告）号：	CN105428246B	公开（公告）日：	2018-05-29
发明（设计）人：	闫东鹏;赵以兵	申请（专利权）人：	北京师范大学
主分类号：	H01L21/34	分类号：	H01L21/34;H01L29/24
代理公司：	北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108	代理人：	张洪年
地址：	100875 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	二维场效应晶体管复合氢氧化物单分散半导体材料制备工艺微晶半导体场效应晶体管合成应用电极制备工艺导电性层间阴离子超级电容器电化学催化电子束刻蚀电学领域二维材料工艺制备沟道材料金属离子微米晶体无机纳米应用潜力应用提供回流法单晶蒸镀制备半导体拓展改进
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【权利要求书】：

1.一种半导体晶体管的电极制备工艺，其特征在于，其具体工艺步骤为：

(1)合成方法：

a.配制二价、三价阳离子摩尔比M2+/M3+＝2.0～4.0的溶液，其中M3+的浓度范围在10mmol/L，作为前驱体溶液A；

b.配制与三价阳离子摩尔比例范围在6～9的尿素溶液，作为前驱体溶液B；

c.将溶液B在不断搅拌的情况下缓慢加入到装有溶液A的三口烧瓶中，加入完毕后，将三口烧瓶置于90-120℃油浴中加热回流24-48小时后，将产物分别用去离子水充分洗涤并离心分离3～10次，直至洗涤液pH值呈中性；并将其置于60～80℃下真空干燥10～24小时后即可得到不同类型的大尺寸、单分散的二维无机复合氢氧化物微晶；

(2)半导体晶体管的电极制备工艺参数：

a.微米片的超声分散过程需要严格控制，将适量的LDH纳米片微晶粉体加入到无水乙醇中，超声5-15min，超声功率为40～100W；

b.为了使分散在基底上的微米片能够贴合紧密，选择基底是通过热蒸镀沉积有300～600nm厚度的无定型SiO2的抛光硅片，其中其统计直方深度和最大深度应小于5nm；

c.为了能够使制作的器件能够产生足够强电流，并结合微米片的尺寸，器件的沟道长度的选择范围在500nm-2μm为宜；

所述的M2+为Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+、Ca2+中的任何一种，所述的M3+为Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+和V3+中的任何一种。