[发明专利]影像传感芯片的封装方法以及封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及晶圆级半导体芯片的封装方法。

背景技术

现今主流的半导体芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(WaferLevelChipSizePackaging，WLCSP)，是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。晶圆级芯片尺寸封装技术是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。

请参考图1，公开一种晶圆级影像传感芯片的封装结构，晶圆1与保护基板2对位压合，支撑单元3位于晶圆1与保护基板2之间使两者之间形成间隙，避免保护基板2与晶圆1直接接触，晶圆1包括多颗网格状排布的影像传感芯片10，影像传感芯片10包括影像传感区11以及焊垫12，多个支撑单元3网格状排布于保护基板2上且与影像传感芯片10对应，当保护基板2与晶圆1对位压合后，支撑单元3包围影像传感区11，晶圆1具有第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，影像传感区11以及焊垫12位于晶圆的第一表面侧。

为了实现焊垫12与其他电路电连接，在晶圆1的第二表面侧设置有朝向第一表面延伸的开孔22，开孔22与焊垫12对应且开孔22的底部暴露出焊垫12，在开孔22的侧壁设置有绝缘层23，绝缘层23上以及开孔22的底部设置有再布线层24，再布线层24与焊垫12电连接，焊球25与再布线层24电连接，通过焊球25电连接其他电路实现焊垫12与其他电路之间形成电连接。

为了便于将封装完成的影像传感芯片切割下来，于晶圆1的第二表面设置有朝向第一表面延伸的切割槽21。

在向晶圆1的第二表面排布焊球25之前，需要涂布防焊油墨26，通常在切割槽21以及开孔22中也填充了防焊油墨26以达到保护、绝缘的效果。

然而，由于防焊油墨26填满开孔22，在后续的回流焊以及信赖性测试中，防焊油墨26的热胀冷缩形成作用于再布线层24的力，在这种力的拉扯下，再布线层24容易与焊垫12脱离，导致不良，成为本领域技术人员噬待解决的技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是通过本发明提供的晶圆级影像传感芯片封装方法以及影像传感芯片封装结构，消除再布线层与焊垫脱离的情况，解决不良，提高影像传感芯片封装结构的信赖性。

为解决上述问题，本发明提供一种影像传感芯片的封装方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，所述晶圆具有多颗网格排布的影像传感芯片，影像传感芯片具有影像传感区以及焊垫，所述影像传感区以及焊垫位于所述晶圆的第一表面侧；于所述晶圆的第二表面形成朝向第一表面延伸的开孔，所述开孔暴露出所述焊垫；于所述晶圆的第二表面形成朝向第一表面延伸的V型切割槽；在所述晶圆的第二表面涂布感光油墨，使感光油墨充满所述V型切割槽,且所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔。

优选的，采用刻蚀工艺同时在晶圆的第二表面形成所述V型切割槽以及所述开孔。

优选的，利用切刀从所述晶圆的第二表面切割形成所述V型切割槽。

优选的，在所述晶圆第二表面形成V型切割槽以及开孔之前还包括：提供保护基板，所述保护基板上设置有网格排布的支撑单元，每一支撑单元对应一个影像传感芯片；将所述晶圆的第一表面与所述保护基板对位压合，所述支撑单元位于所述晶圆与所述保护基板之间；对所述晶圆的第二表面进行研磨减薄。

优选的，在形成V型切割槽之后且在涂布感光油墨之前，利用切刀沿所述V型切割槽切割，所述切刀至少切入部分所述支撑单元中。

优选的，所述切刀的切割宽度小于所述V型槽靠近所述晶圆第二表面的开口的宽度。

优选的，利用切刀从所述晶圆的第二表面切割形成所述V型切割槽且所述切刀至少切入部分所述支撑单元中。

优选的，在涂布感光油墨之前还包括：于所述开孔的侧壁以及所述晶圆的第二表面形成绝缘层；于所述绝缘层上以及所述开孔的底部形成再布线层，使所述再布线层与所述焊垫电连接；在所述晶圆的第二表面涂布感光油墨之后还包括：在所述感光油墨上形成多个通孔，所述通孔暴露出所述再布线层；在所述通孔中形成焊球，所述焊球与所述再布线层电连接。

优选的，所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。