[发明专利]一种碳纳米复合材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201510652108.3 | 申请日: | 2015-10-10 |
公开(公告)号: | CN105177529A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 范修军;赵岩;张献明 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C14/24;C23C28/04 |
代理公司: | 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 | 代理人: | 张福增 |
地址: | 030006 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种碳纳米复合材料,特征在于,它为石墨烯纳米带垂直阵列,且石墨烯纳米带的外壁附着有碳化硅晶体/石墨化金刚石纳米晶体,其中碳化硅晶体包裹在石墨化金刚石晶体之中。
2.如权利要求1所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将硅片分别经过甲醇、丙酮和异丙酮超声清洗,N2吹干;通过电子束蒸发系统依次蒸镀8-12nmAl2O3,0.7-1.2nmFe;
(2)在热丝CVD炉温700-800℃下,气体流量分别为H2:200±10sccm,C2H2:2±0.5sccm,通过去离子水的H2为200±10sccm,总气压为25±1Torr,热丝为单根钨丝,功率为30-35W条件下,将步骤(1)中制得的硅片置于钨丝前方0.2~0.5cm处,反应30~60s将钨丝功率设置为0,总气压调节为6.4±0.5Torr,反应15min后完成单壁碳纳米管垂直阵列生长;
(3)通过电子束蒸发系统在步骤(2)所获得的单壁碳纳米管垂直阵列蒸镀1-5nm的硅,蒸镀速率为0.01nm/min;
(4)在热丝CVD炉温950-1050℃下,气体流量分别为H2:125-175sccm,CH4:0.3-0.6sccm,通过去离子水的H2为5-25sccm,总气压为25-30Torr,热丝为四根钨丝,功率为75-85W条件下,将经步骤(3)处理的单壁碳纳米管垂直阵列置于钨丝正下方,反应1-4h即得碳纳米复合材料。
3.如权利要求2所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝用钽丝替代。
4.如权利要求2或3所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝或钽丝单根时水平放置。
5.如权利要求2或3所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝或钽丝四根时水平放置平行排列。
6.如权利要求1所述的碳纳米复合材料在电催化析氢中的应用。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的