[发明专利]一种碳纳米复合材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201510652108.3 申请日: 2015-10-10
公开(公告)号: CN105177529A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 范修军;赵岩;张献明 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;C23C14/24;C23C28/04
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 代理人: 张福增
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 复合材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种碳纳米复合材料,特征在于,它为石墨烯纳米带垂直阵列,且石墨烯纳米带的外壁附着有碳化硅晶体/石墨化金刚石纳米晶体,其中碳化硅晶体包裹在石墨化金刚石晶体之中。

2.如权利要求1所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将硅片分别经过甲醇、丙酮和异丙酮超声清洗,N2吹干;通过电子束蒸发系统依次蒸镀8-12nmAl2O3,0.7-1.2nmFe;

(2)在热丝CVD炉温700-800℃下,气体流量分别为H2:200±10sccm,C2H2:2±0.5sccm,通过去离子水的H2为200±10sccm,总气压为25±1Torr,热丝为单根钨丝,功率为30-35W条件下,将步骤(1)中制得的硅片置于钨丝前方0.2~0.5cm处,反应30~60s将钨丝功率设置为0,总气压调节为6.4±0.5Torr,反应15min后完成单壁碳纳米管垂直阵列生长;

(3)通过电子束蒸发系统在步骤(2)所获得的单壁碳纳米管垂直阵列蒸镀1-5nm的硅,蒸镀速率为0.01nm/min;

(4)在热丝CVD炉温950-1050℃下,气体流量分别为H2:125-175sccm,CH4:0.3-0.6sccm,通过去离子水的H2为5-25sccm,总气压为25-30Torr,热丝为四根钨丝,功率为75-85W条件下,将经步骤(3)处理的单壁碳纳米管垂直阵列置于钨丝正下方,反应1-4h即得碳纳米复合材料。

3.如权利要求2所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝用钽丝替代。

4.如权利要求2或3所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝或钽丝单根时水平放置。

5.如权利要求2或3所述的一种碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的钨丝或钽丝四根时水平放置平行排列。

6.如权利要求1所述的碳纳米复合材料在电催化析氢中的应用。

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