[发明专利]桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术

权利要求书

1.桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术，其特征在于：它包括以下步骤：

1）外植体的采集与预处理

在桃枝条旺盛生长期，挑选生长旺盛、健康无病虫害10cm长左右的新梢，去除叶子和顶芽，留下0.2-0.3cm长的叶柄，然后用含有洗洁精的自来水清洗枝条表面的灰尘后，将其剪成含有2个嫩芽的小段；在二溴海因溶液中浸泡20min，然后用流水冲洗1-2h，用于初代培养；

2）无菌苗的建立

在超净工作台上，将20个左右的茎段放入500mL的烧杯中，首先加入75%乙醇淹没实验材料，缓慢摇晃30s，迅速将乙醇倒出；然后加入0.1%升汞溶液搅拌4min，最后用无菌水冲洗3次，浸泡1次，浸泡时间为5-10min；将材料放在盛有无菌滤纸的培养皿中，吸干材料表面水分，用无菌手术刀分别切去茎段的基部和顶部0.2cm，然后每个茎段接种在含有初代培养基的试管中进行接种培养；

3）增殖培养

组培材料在增殖培养基Ⅰ上增殖2代，再在增殖培养基Ⅱ上增殖1代，随后再转入增殖培养基Ⅰ，如此循环往复，直到得到所需数量的无根苗；

4）伸长培养

用手术刀片将经过增殖培养的丛生芽基部切一个新切口，转入伸长培养基培养，当这些丛生芽继续生长到长度为1.5cm左右时，从主干枝条上切下，接种在伸长培养基中继续培养3周左右；

5）生根阶段

将经过伸长培养的无根组培苗基部切一个新切口，剪去基部侧芽和叶片，接种到盛有生根诱导培养基的培养瓶中，每个培养瓶中放置3-4个待生根苗；先将培养瓶放在组培间内黑暗条件下培养5-7天，再放到组培室的散射光下培养2天，最后回归到正常组培苗培育的光、温条件培养2-3周，待根长出后用于炼苗移栽；

6）温室炼苗移栽

待组培苗生根2-4条，根长1-4cm时，进行组培苗炼苗5-7天，在下午16:00-18:00移栽到装有珍珠岩与腐植土1:1混配的湿润基质的育苗盒中，浇透水，盖上透明保湿罩，上留1个风口，置于湿度60-70%的温室内让其生长成苗；移栽后不定期进行喷水和喷洒杀菌剂杀菌等。

2.根据权利要求1所述的桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术，其特征在于：所述的初代培养基为MS+6-BA1.0mg/L+IBA0.1mg/L+30g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH5.7-6.2；所述的初代培养基的培养环境为温度22℃-26℃，光照强度为40-45μmol/m²/s，光周期为16h光照/8h黑暗。

3.根据权利要求1所述的桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术，其特征在于：所述的增殖培养的方法为从无污染的初代培养外植体上剪下长度为1cm左右的新生芽，接种到增殖培养基Ⅰ上，培养3-4周；在这一阶段，每个茎段将会增殖出多个小苗，继续增殖培养时，将这些小苗剪去顶芽，消除顶端优势，继续转接到新的增殖培养基上培养，继代两代后，然后再转入增殖培养基Ⅰ；所述的增殖培养基Ⅰ为：MS+6-BA0.7mg/L+IBA0.07mg/L+GA30.05mg/L+30g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH5.7-6.2；所述的增殖培养基Ⅱ为MS+6-BA0.5mg/L+IBA0.05mg/L+30g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH5.7-6.2。

4.根据权利要求1所述的桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术，其特征在于：所述的伸长培养基为：MS+6-BA0.3mg/L+IBA0.1mg/L+GA30.05mg/L+30g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH5.7-6.2。

5.根据权利要求1所述的桃砧木中桃抗砧1号的组培繁殖技术，其特征在于：所述的生根培养基为1/2MS+NAA0.5mg/L+IBA1.0mg/L+30g/L蔗糖+6g/L琼脂，pH5.7-6.2。