[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效

专利信息
申请号: 201510657182.4 申请日: 2015-10-12
公开(公告)号: CN105655346B 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 朴璟镇;梁基燮;崔乘烈;金刚铉;李参锺 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示装置,包括:

基板,所述基板形成在发光区和非发光区中;

有机发光层,所述有机发光层形成在所述发光区中的所述基板上;

平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述发光区和所述非发光区中的所述基板上;

第一堤坝图案,所述第一堤坝图案形成在所述非发光区中的所述基板上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的开口中的部分;以及

第二堤坝图案,所述第二堤坝图案形成在所述第一堤坝图案上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中的部分,所述第二堤坝图案的所述部分的底表面比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案在所述平坦化膜的所述开口中的部分为凹部,以及所述第二堤坝图案的所述部分形成在所述第一堤坝图案的所述凹部上方。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第二堤坝图案的所述部分的中心与所述平坦化膜的所述开口的中心水平对准。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽的所述第二堤坝图案的所述部分的底表面位于第一和第二滤色器图案中的每一个的部分的上方。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:

滤色器层,所述滤色器层形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的正下方,所述滤色器层包括滤色器图案,

其中在所述滤色器图案之间的边界区位于所述平坦化膜的所述开口下方。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中所述平坦化膜不设置在所述滤色器图案之间的所述边界区上方。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案包括凹部以接触所述平坦化膜的在所述平坦化膜的所述开口中的薄的部分。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在另一非发光区中的所述基板上;

第一电极,所述第一电极形成在所述薄膜晶体管上;以及

接触孔,所述接触孔形成在所述另一非发光区中以将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案和所述第二堤坝图案中的每一个的另一部分设置在所述接触孔中的所述第一电极上。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的凹部的边缘与在所述发光区的一侧的所述第一电极交叠,以及形成在所述另一非发光区中的所述第一堤坝图案的另一凹部的边缘与在所述发光区的另一侧的所述第一电极交叠。

11.一种有机发光二极管显示装置,包括:

基板;

第一堤坝图案,所述第一堤坝图案形成在所述基板上并且在非发光区中;

第二堤坝图案,所述第二堤坝图案形成在所述第一堤坝图案上;

有机发光层,所述有机发光层形成在所述发光区中的所述基板上;

平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述基板上以包括在所述非发光区中的所述第一堤坝图案和所述第二堤坝图案下的开口,其中所述第二堤坝图案在所述非发光区中的所述第一堤坝图案上,其中所述第二堤坝图案在所述非发光区中的所述第一堤坝图案上,以及所述第一堤坝图案在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中;以及

滤色器层,所述滤色器层形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的正下方,所述滤色器层包括滤色器图案,

其中在所述滤色器图案之间的边界区位于所述平坦化膜的所述开口下方,

其中所述第二堤坝图案具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中的部分,所述第二堤坝图案的所述部分的底表面比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽。

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