[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
申请号: | 201510657182.4 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN105655346B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 朴璟镇;梁基燮;崔乘烈;金刚铉;李参锺 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板,所述基板形成在发光区和非发光区中;
有机发光层,所述有机发光层形成在所述发光区中的所述基板上;
平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述发光区和所述非发光区中的所述基板上;
第一堤坝图案,所述第一堤坝图案形成在所述非发光区中的所述基板上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的开口中的部分;以及
第二堤坝图案,所述第二堤坝图案形成在所述第一堤坝图案上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中的部分,所述第二堤坝图案的所述部分的底表面比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案在所述平坦化膜的所述开口中的部分为凹部,以及所述第二堤坝图案的所述部分形成在所述第一堤坝图案的所述凹部上方。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第二堤坝图案的所述部分的中心与所述平坦化膜的所述开口的中心水平对准。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽的所述第二堤坝图案的所述部分的底表面位于第一和第二滤色器图案中的每一个的部分的上方。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
滤色器层,所述滤色器层形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的正下方,所述滤色器层包括滤色器图案,
其中在所述滤色器图案之间的边界区位于所述平坦化膜的所述开口下方。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中所述平坦化膜不设置在所述滤色器图案之间的所述边界区上方。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案包括凹部以接触所述平坦化膜的在所述平坦化膜的所述开口中的薄的部分。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在另一非发光区中的所述基板上;
第一电极,所述第一电极形成在所述薄膜晶体管上;以及
接触孔,所述接触孔形成在所述另一非发光区中以将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤坝图案和所述第二堤坝图案中的每一个的另一部分设置在所述接触孔中的所述第一电极上。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的凹部的边缘与在所述发光区的一侧的所述第一电极交叠,以及形成在所述另一非发光区中的所述第一堤坝图案的另一凹部的边缘与在所述发光区的另一侧的所述第一电极交叠。
11.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板;
第一堤坝图案,所述第一堤坝图案形成在所述基板上并且在非发光区中;
第二堤坝图案,所述第二堤坝图案形成在所述第一堤坝图案上;
有机发光层,所述有机发光层形成在所述发光区中的所述基板上;
平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述基板上以包括在所述非发光区中的所述第一堤坝图案和所述第二堤坝图案下的开口,其中所述第二堤坝图案在所述非发光区中的所述第一堤坝图案上,其中所述第二堤坝图案在所述非发光区中的所述第一堤坝图案上,以及所述第一堤坝图案在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中;以及
滤色器层,所述滤色器层形成在所述非发光区中的所述第一堤坝图案的正下方,所述滤色器层包括滤色器图案,
其中在所述滤色器图案之间的边界区位于所述平坦化膜的所述开口下方,
其中所述第二堤坝图案具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中的部分,所述第二堤坝图案的所述部分的底表面比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的