[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

说明书

本申请要求于2014年11月28日提交的韩国专利申请第10-2014-0169057号的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管阵列基板，并且更具体地涉及适合于防止在包含在具有薄膜晶体管阵列基板的有机发光二极管(OLED)显示装置中的有机发光层中产生厚度偏差的薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

显示装置包括具有背光单元的显示装置和利用不需要单独的背光单元的自发光元件的OLED显示装置。因此，利用自发光元件的OLED显示装置可以是薄的并且具有低功耗。

OLED显示装置可以包括：包含阳极电极、阴极电极和插入在所述两个电极之间的有机发光层的有机发光元件。有机发光元件使得通过来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子的复合产生的激子进入有机发光层。另外，有机发光元件通过激子从激发态过渡到稳态而发光。

可以利用气相沉积方法形成有机发光层。喷墨印刷工艺可以用于通过滴落液化的有机发光材料在大尺寸基板上形成有机发光层。

这样的有机发光层具有邻近堤坝(bank)图案的与被堤坝图案包围的中心区域相比较厚的边缘区域。这是由于以下事实：与有机发光层的中心部分的硬化速度相比，有机发光层的边缘部分以较低的速度硬化；并且由于有机发光材料从有机发光层的中心区域向边缘区域进行的硬化现象，有机发光材料从有机发光层的中心区域内部地移动到有机发光层的边缘区域。

发明内容

本申请的实施方案涉及基本消除了由于相关技术的限制和劣势而导致的一个或更多个问题的薄膜晶体管阵列基板。根据一个实施方案的薄膜晶体管阵列基板适合于减小有机发光层的厚度并且防止有机发光层的非均匀形成以从外部露出滤色器层。所露出的滤色器层设置在平坦化膜下，穿过非发光区内的平坦化膜。

实施方案的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分附加特征和优点根据描述将是明显的或可以从实施方案的实施中了解。实施方案的优点将通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体说明的结构来实现和获得。

为了解决上述问题，根据本实施方案的一般性方面的薄膜晶体管阵列基板包括：包括发光区和非发光区的基板；设置在基板上的滤色器层；设置在滤色器层上的平坦化层，并且平坦化层配置为移除平坦化层的与非发光区对应的至少一部分。所述薄膜晶体管阵列基板还包括：设置在平坦化膜的一部分上的第一电极；配置为露出第一电极的上表面的一部分并且铺展至非发光区的第一堤坝图案。所述薄膜晶体管阵列基板还包括设置在非发光区内的第一堤坝图案上的第二堤坝图案。因此，所述薄膜晶体管阵列基板减小了第二堤坝图案的厚度以均匀地形成有机发光层。

在考察以下附图和具体描述之后，其他系统、方法、特征和优点对本领域技术人员将是明显的。包含在该描述内的系统、方法、特征和优点在本发明的范围内，并被所附权利要求所保护。本节中的任何内容都不应该被看作对那些权利要求的限制。下面结合实施方案讨论其他方面和优点。应理解的是，本发明的前述一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。

附图说明

本申请包括附图来提供实施方案的进一步理解并且附图被合并到本申请中并构成本申请的一部分。附图示出本发明的实施方案并且与描述一起用于解释本发明。在附图中：

图1为示出根据本发明的第一实施方案的OLED装置的薄膜晶体管阵列基板的截面图；

图2为示出根据第一实施方案的薄膜晶体管阵列基板的非发光区的截面图；

图3A至图3C为示出制造根据第一实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的方法的截面图；

图4为示出根据本发明的第二实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的截面图；

图5为主要地示出根据第二实施方案的薄膜晶体管阵列基板的非发光区的截面图；

图6A至图6C为示出制造根据本发明第二实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的方法的截面图；

图7为示出根据本发明的第三实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的截面图；

图8为示出根据本发明的第四实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的截面图；以及

图9为示出根据本发明的第五实施方案的OLED显示装置的薄膜晶体管阵列基板的非发光区的照片。

具体实施方式