[发明专利]量子点偏光片的制作方法

权利要求书

1.一种量子点偏光片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供第一基材(11)，在所述第一基材(11)上制备量子点层(12)、第一保护层(13)、及第一黏着层(14)，得到量子点膜片(1)；

步骤2、提供第二基材(21)，在所述第二基材(21)上制备偏光层(22)、第二保护层(23)、第二黏着层(24)、及剥离保护膜(25)，得到偏光膜片(2)；

步骤3、通过第一黏着层(14)将所述量子点膜片(1)与所述偏光膜片(2)进行贴合，得到量子点偏光片；

所述步骤1中，通过蒸镀法在所述第一基材(11)上形成量子点薄膜，得到量子点层(12)。

2.如权利要求1所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述量子点层(12)内包含的量子点包括Ⅱ-Ⅵ族元素组成的半导体、Ⅲ-Ⅴ族元素组成的半导体、及碳量子点中的一种或多种，所述量子点为稳定直径在0～20nm的纳米粒子。

3.如权利要求1所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤2中形成的偏光膜片(2)为碘系偏光片、或染料系偏光片。

4.如权利要求1所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述蒸镀法为分子束外延法、或有机金属化学气相沉积法。

5.如权利要求1所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤3得到的量子点偏光片用作液晶显示面板的上偏光片、或者下偏光片。

6.如权利要求1所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中得到的量子点膜片(1)内由上至下依次为第一基材(11)、第一保护层(13)、量子点层(12)、及第一黏着层(14)；所述步骤2中得到的偏光膜片(2)内由上至下依次为偏光层(22)、第二保护层(23)、第二基材(21)、第二黏着层(24)、及剥离保护膜(25)；所述步骤3中，所述量子点偏光片由第一黏着层(14)粘附在所述偏光膜片(2)的偏光层(22)上得到；所述量子点偏光片在使用时，将剥离保护膜(25)撕掉，通过第二黏着层(24)将所述量子点偏光片贴附在待贴附的基板上。

7.一种量子点偏光片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供第一基材(11)，在所述第一基材(11)上制备量子点层(12)、第一保护层(13)、及第一黏着层(14)，得到量子点膜片(1)；

步骤2、提供第二基材(21)，在所述第二基材(21)上制备偏光层(22)、第二保护层(23)、第二黏着层(24)、及剥离保护膜(25)，得到偏光膜片(2)；

步骤3、通过第一黏着层(14)将所述量子点膜片(1)与所述偏光膜片(2)进行贴合，得到量子点偏光片；

所述步骤1中，在所述第一基材(11)上制备量子点层(12)的具体方法为：提供量子点材料及溶解介质，将所述量子点材料溶解分散到所述溶解介质中，混合均匀，制得量子点胶，将所述量子点胶在所述第一基材(11)上制作成膜，干燥固化后，得到量子点层(12)；

所述量子点材料由量子点经过表面接枝法、或表面包覆法进行表面修饰后得到，所述量子点材料为油溶性、或水溶性；所述量子点的形态为球状、棒状、或纤维状。

8.如权利要求7所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述量子点层(12)内包含的量子点包括Ⅱ-Ⅵ族元素组成的半导体、Ⅲ-Ⅴ族元素组成的半导体、及碳量子点中的一种或多种，所述量子点为稳定直径在0～20nm的纳米粒子。

9.如权利要求7所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤2中形成的偏光膜片(2)为碘系偏光片、或染料系偏光片。

10.如权利要求7所述的量子点偏光片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中通过喷涂、旋涂、打印、或狭缝涂布的方式将所述量子点胶在所述第一基材(11)上制作成膜。