[发明专利]一种控制Nand flash内存读写的装置和方法

权利要求书

1.一种控制Nandflash内存读写的装置，所述装置连接到所述Nandflash内存，其特征在于，包括：

命令模块，用于产生控制所述Nandflash内存的操作指令，所述操作指令至少包括读取指令和写入指令；

解析模块，通过I2C数据总线连接到所述命令模块，用于接收并解析所述操作指令；

执行模块，连接所述Nandflash内存，用于根据解析得到的操作指令使所述Nandflash内存进行读取或写入操作；以及，

传输模块，用于在确定所述Nandflash内存将进行的操作后，读取存储于所述Nandflash内存中的所述命令模块指定的数据或命令并传输到所述命令模块，或者接收所述Nandflash内存将写入的所述命令模块传输的数据或命令，以写入到所述Nandflash内存。

2.根据权利要求1所述的控制Nandflash内存读写的装置，其特征在于，所述命令模块在产生所述操作指令后，根据产生的所述读取指令和所述写入指令赋予不同类型的逻辑电平。

3.根据权利要求2所述的控制Nandflash内存读写的装置，其特征在于，所述执行模块包括判断单元和执行单元；

其中，所述判断单元用于根据所述不同类型的电平判断所述操作指令，辨别所述操作指令为所述读取指令或所述写入指令；

所述执行单元用于在判断出所述操作指令为所述读取指令或所述写入指令后，将所述操作指令发送到所述传输模块。

4.根据权利要求2所述的控制Nandflash内存读写的装置，其特征在于，所述Nandflash内存进行读取或写入的操作时，所述命令模块赋予所述读取指令和所述写入指令的逻辑电平的时序等于Nandflash内存的时序。

5.根据权利要求2所述的控制Nandflash内存读写的装置，其特征在于，所述传输模块将所述命令模块读取的数据或命令经所述解析模块转发后由所述命令模块接收；所述命令模块将写入到所述Nandflash内存的数据或命令经所述接收模块转发到传输模块进行写入。

6.一种控制Nandflash内存读写的方法，其特征在于，包括：

产生控制所述Nandflash内存的操作指令，所述操作指令至少包括读取指令和写入指令；

通过I2C数据总线接收并解析所述操作指令；

根据解析得到的操作指令使所述Nandflash内存进行读取或写入操作；

在确定所述Nandflash内存将进行的操作后，读取存储于所述Nandflash内存中的指定的数据或命令，或者接收所述Nandflash内存将写入的数据或命令，以写入到所述Nandflash内存。

7.根据权利要求6所述的控制Nandflash内存读写的方法，其特征在于，在产生所述操作指令后，根据产生的所述读取指令和所述写入指令赋予不同类型的逻辑电平。

8.根据权利要求7所述的控制Nandflash内存读写的方法，其特征在于，在根据解析得到的操作指令使所述Nandflash内存进行读取或写入操作的步骤中，根据所述不同类型的电平判断所述操作指令，辨别所述操作指令为所述读取指令或所述写入指令；在判断出所述操作指令为所述读取指令或所述写入指令后，发送所述操作指令。

9.根据权利要求7所述的控制Nandflash内存读写的方法，其特征在于，所述Nandflash内存进行读取或写入的操作时，赋予所述读取指令和所述写入指令的逻辑电平的时序等于Nandflash内存的时序。

10.根据权利要求7所述的控制Nandflash内存读写的方法，其特征在于，所述读取的数据或命令通过一两线式数据总线读取，所述写入的的数据或命令通过所述两线式数据总线写入到所述Nandflash内存。