[发明专利]一种控制Nand flash内存读写的装置和方法

说明书

技术领域

本发明涉及内存读写领域，特别是涉及一种控制Nandflash内存读写的装置和方法。

背景技术

Nandflash内存是现在市场上主要的非易失闪存技术之一。1989年东芝公司发明了Nandflash内存结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。Nandflash内存的结构能提高极高的单元密度，可以达到高存储密度，可以做到Gbit级别，并且写入和擦除的速度也很快，同时具有成本上的优势。但应用Nandflash内存的困难在于其Flash管理需要特殊的系统接口。

I2C总线是一种两线式串行总线，用于连接微控制器及其外围设备。由于其简单、灵活、硬件管脚资源少等优点，在器件与器件之间的通信中有着广泛的应用。但是I2C的EEPROM的容量只有几十KByte甚至几Kbyte。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种控制Nandflash内存读写的装置和方法，能够通过I2C总线来访问Nandflash内存，既可利用Nandflash内存的高存储密度，同时结构简单。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种控制Nandflash内存读写的装置，该装置装置连接到Nandflash内存，包括：命令模块，用于产生控制Nandflash内存的操作指令，操作指令至少包括读取指令和写入指令；解析模块，通过I2C数据总线连接到所述命令模块，用于接收并解析操作指令；执行模块，连接Nandflash内存，用于根据解析得到的操作指令使Nandflash内存进行读取或写入操作；以及，传输模块，用于在确定Nandflash内存将进行的操作后，读取存储于Nandflash内存中的命令模块指定的数据或命令并传输到命令模块，或者接收Nandflash内存将写入的命令模块传输的数据或命令，以写入到Nandflash内存。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种控制Nandflash内存读写的方法，该方法的步骤包括：产生控制Nandflash内存的操作指令，操作指令至少包括读取指令和写入指令；通过I2C数据总线接收并解析操作指令；根据解析得到的操作指令使Nandflash内存进行读取或写入操作；在确定Nandflash内存将进行的操作后，读取存储于Nandflash内存中的指定的数据或命令，或者接收Nandflash内存将写入的数据或命令，以写入到Nandflash内存。

区别于现有技术，本发明的控制Nandflash内存读写的装置产生读取或写入的操作指令后，通过I2C数据总线传输，经解析后传输到Nandflash内存，使其进行相应的读写操作，能够通过I2C总线来访问Nandflash内存，既可利用Nandflash内存的高存储密度，同时结构简单。

附图说明

图1是本发明提供的一种控制Nandflash内存读写的装置第一实施方式的结构示意图；

图2是本发明提供的一种控制Nandflash内存读写的方法第一实施方式的流程示意图；

图3是本发明提供的一种控制Nandflash内存读写的方法第一实施方式中复杂可编程逻辑器件与Nandflash内存及I2C数据总线的连接示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步更详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。