[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一导电型第一主电极区；

第一导电型漂移区，与所述第一主电极区接触；

第一导电型第二主电极区，与所述漂移区接触；

第二导电型阱区，设置在所述漂移区的表层部的一部分，并且基准电位施加到所述第二导电型阱区；和

第一导电型电位提取区，设置在所述阱区的表层部，并且基准电位施加到所述第一导电型电位提取区，

其中，所述阱区用作对在所述电位提取区与所述漂移区之间流动的电流进行控制的基极区，

所述阱区被设置为从所述漂移区延伸至所述第二主电极区上，并且比所述漂移区和所述第二主电极区浅。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电型漂移区被设置为围绕所述第一主电极区的外周部，并且

所述第二主电极区被设置为围绕所述漂移区的外周部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述阱区和所述电位提取区环状地形成在围绕所述第一主电极区的位置。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二主电极区环状地形成在围绕所述第一主电极区的位置。

5.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一导电型第一主电极区；

第一导电型漂移区，与所述第一主电极区接触；

第一导电型第二主电极区，与所述漂移区接触；

第二导电型阱区，设置在所述第二主电极区的表层部的一部分，并且基准电位施加到所述第二导电型阱区；和

第一导电型电位提取区，设置在所述阱区的表层部，并且基准电位施加到所述第一导电型电位提取区，

其中，所述阱区用作对在所述电位提取区与所述第二主电极区之间流动的电流进行控制的基极区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第一导电型漂移区被设置为围绕所述第一主电极区的外周部，并且

所述第二主电极区被设置为围绕所述漂移区的外周部。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述阱区和所述电位提取区环状地形成在围绕所述第一主电极区的位置。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

所述阱区被设置为与所述漂移区分离，并且比所述漂移区和所述第二主电极区浅。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第二主电极区环状地设置在围绕所述第一主电极区的位置。

10.根据权利要求5或6所述的半导体装置，还包括：

多个第一导电型高耐压阱区，被设置为如下图案：所述第一导电型高耐压阱区在所述漂移区和所述第二主电极区的表层部，沿着所述第二主电极区的圆周方向成形为连续的点状。