[发明专利]一种AL刻蚀机台热量再利用的装置及方法有效
| 申请号： | 201510662415.X | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105244301B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热量再利用 刻蚀机台 腔体 干燥腔体 加热设备 输出端口 加热 半导体设备 干燥气体 高温气体 加热效果 分流阀 刻蚀机 主刻蚀 主蚀刻 耗能 外围 附属 节约 | ||
1.一种铝刻蚀机台热量再利用的装置，其特征在于，所述装置包括：
附属腔体以及主蚀刻腔体；
第一干燥腔室，与所述附属腔体贯通连接，以干燥所述附属腔体流出的第一气体；
第二干燥腔室，与所述主蚀刻腔体贯通连接，以干燥所述主蚀刻腔体流出的第二气体；
分流阀，包括一输入端口和至少一第一输出端口以及一第二输出端口，所述输入端口与所述第一干燥腔室连接，所述第一输出端口将所述输入端口输入的部分气体流入净气腔，所述第二输出端口通过一温度计流入净气腔；
其中，所述第二干燥腔室与所述第二输出端口连接，所述第二干燥腔室流出的气体经过所述温度计流入所述净气腔；
所述分流阀的第二输出端口通过一压力计与所述第二干燥腔室的输出端口连接。
2.如权利要求1所述的铝刻蚀机台热量再利用的装置，其特征在于，所述第二气体为氯化物气体。
3.如权利要求2所述的铝刻蚀机台热量再利用的装置，其特征在于，所述氯化物气体的温度为70-90摄氏度。
4.如权利要求1所述的铝刻蚀机台热量再利用的装置，其特征在于，所述第一气体为碳氧化合物。
5.如权利要求4所述的铝刻蚀机台热量再利用的装置，其特征在于，所述碳氧化合物气体的温度为240-260摄氏度。
6.一种铝刻蚀机台热量再利用的方法，其特征在于，基于权利要求1-5中任意一项所述的铝刻蚀机台热量再利用的装置，所述方法包括：
附属腔体流出第一气体及主蚀刻腔体流出第二气体；
所述第一气体经过第一干燥腔室干燥后流出及所述第二气体经过第二干燥腔室干燥后流出；
部分第一气体经过分流阀的第二输出端口流出，当所述经所述第二输出端口流出的第一气体的压力达到一预设值后，与所述分流阀的第二输出端口连接的压力计开启；
经过第二干燥腔室干燥后的第二气体经过所述第一气体加热后，经过一温度计测量混合气体的温度后流入净气腔；
根据温度计的读数，调节所述分流阀的开度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
