[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201510662547.2 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105244281A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：
提供一半导体基体，于所述半导体基体上沉积一掩膜层；
刻蚀所述半导体基体以形成浅凹陷，并在所述浅凹陷内生长外延层至所述半导体基体上表面；
在所述外延层上依次形成栅介质层、栅极、侧墙及掩膜层；
刻蚀所述侧墙两侧的所述外延层与所述半导体基体形成深凹陷；
在所述深凹陷内生长所述外延层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体基体为单晶硅。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用化学气相工艺沉积。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用炉管沉积。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用原子层工艺沉积。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述外延层为锗掺杂的锗硅外延。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述外延层为碳硅。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀形成所述浅凹陷与所述深凹陷。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅介质层为炉管工艺形成的氧化硅。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极为炉管工艺沉积的多晶硅。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙由炉管工艺沉积的至少一层以上氧化硅或氮化硅构成。
13.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙由原子层沉积工艺沉积的至少一层以上氧化硅或氮化硅构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
