[发明专利]一种减少厚膜电镀缺陷的方法

权利要求书

1.一种减少厚膜电镀缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：

步骤1：提供一种半导体晶圆；

步骤2：在所述半导体晶圆的表面，电镀上厚度大于0.2微米的第一铜膜层；

步骤3：对完成电镀的半导体晶圆进行清洗和干燥；

步骤4：将清洗和干燥后的半导体晶圆表面电镀上第二铜膜层；

其中，所述第一铜膜层的厚度占电镀在所述半导体晶圆上的铜膜层的总厚度的70％-90％。

2.根据权利要求1所述的减少厚膜电镀缺陷的方法，其特征在于，所述半导体晶圆已设置阻挡层和铜籽晶层。

3.根据权利要求2所述的减少厚膜电镀缺陷的方法，其特征在于，所述步骤3中，对所述半导体晶圆进行清洗和干燥时，不对半导体晶圆进行去边的制程。

4.根据权利要求1-3任意一条所述的减少厚膜电镀缺陷的方法，其特征在于，所述减少厚膜电镀缺陷的方法还包括：

步骤5：将电镀完第二铜膜层后的半导体晶圆进行洗边和退火制程。