[发明专利]磁阻器件

权利要求书

1.一种磁速度传感器器件，包括：

自旋阀类型的多个磁阻感测元件，

其中磁阻感测元件被电连接以通过如下方式形成速度感测布置：多个磁阻感测元件组串联，其中每组都包括多个磁阻感测元件，并且每组内的相应多个磁阻感测元件并联耦合，

其中多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层，

其中每个磁阻感测元件的自由层包括等于或大于2的长宽比，并且

其中每个磁阻感测元件的自由层包括圆形凸面轮廓，

所述器件还包括电桥电路，其中电桥电路中的每个电阻器包括一百个或更多个磁阻感测元件。

2.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中多个磁阻感测元件操作在不饱和范围中。

3.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中自由层的形状包括长对称轴和短对称轴，其中参考层的参考磁化在短对称轴的方向上。

4.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中自由层具有椭圆形状。

5.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，进一步包括分接来自多个磁阻感测元件的感测信号并且将感测信号馈送到信号处理元件的信号分接，其中信号处理元件被配置成基于跨过阈值来生成脉冲。

6.依据权利要求5所述的磁速度传感器器件，其中每个脉冲基于磁场矢量的旋转来指示角度改变。

7.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中所述电桥电路包括惠斯通电桥。

8.依据权利要求7所述的磁速度传感器器件，其中惠斯通电桥中的每个电阻器包括一千个或更多个磁阻感测元件。

9.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中多个磁阻感测元件包括电连接结构以将电流引入到每个磁阻感测元件并且从每个磁阻感测元件抽取电流。

10.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中多个磁阻感测元件的自由层的对称轴在相同方向上。

11.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中多个磁阻感测元件的自由层的对称轴在不同方向上。

12.依据权利要求1所述的磁速度传感器器件，其中每个磁阻感测元件的自由层包括等于或大于6的长宽比。

13.一种磁速度传感器，包括：

电连接以通过如下方式形成感测布置的自旋阀类型的多个磁阻感测元件：多个磁阻感测元件组串联，其中每组都包括多个磁阻感测元件，并且每组内的相应多个磁阻感测元件并联耦合，其中多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层；

其中每个磁阻感测元件的自由层的轮廓具有圆形凸面形状，所述圆形凸面形状带有等于或大于2的长宽比，并且多个磁阻感测元件包括一百个或更多个磁阻感测元件。

14.依据权利要求13所述的磁速度传感器，其中磁速度传感器被配置成感测磁场矢量的旋转并且输出脉冲。

15.依据权利要求13所述的磁速度传感器，其中磁阻感测元件操作在不饱和范围中。

16.依据权利要求13所述的磁速度传感器，其中自由层包括长和短对称轴，其中由参考层提供的参考磁化在短对称轴的方向上。

17.依据权利要求13所述的磁速度传感器，其中自由层包括椭圆形状。

18.依据权利要求13所述的磁速度传感器，进一步包括分接来自感测布置的感测信号并且将感测信号馈送到信号处理元件的信号分接，其中信号处理元件被配置成基于跨过阈值来生成脉冲。