[发明专利]磁阻器件有效
申请号: | 201510663825.6 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN105527451B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | W.拉贝格;A.施特拉泽 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01P3/44 | 分类号: | G01P3/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 器件 | ||
本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。
技术领域
在本文中描述的实施例涉及磁阻器件并且特别地涉及使用自旋阀类型的磁阻感测元件的磁传感器。
背景技术
磁传感器被用在许多应用中,例如用于速度感测。速度传感器包含下述传感器:该传感器感测元件绕轴的旋转并且能够输出指示传感器旋转速度的信号。磁速度传感器使用由元件的旋转引起的磁场变化来感测旋转速度。磁速度传感器能够在许多应用中比如被用来感测轮、凸轮轴、曲轴、变速器的旋转速度。典型地,磁编码器诸如极轮或铁磁齿轮被安装在旋转轴上以基于轴的旋转来生成磁场变化。对于一些应用而言,可以接近传感器来提供偏置磁铁以提供偏置磁场。
发明内容
依据实施例,磁速度传感器包括自旋阀类型的多个磁阻感测元件,其中磁阻感测元件被电连接以形成感测布置。多个磁阻感测元件中的每个至少具有自由层和参考系统,其中每个磁阻感测元件的自由层具有圆形的和连续的凸面形状以及等于或大于2的长宽比。
依据进一步实施例,磁速度传感器包括电连接以形成感测布置的自旋阀类型的至少一百个磁阻感测元件,其中多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。
依据进一步实施例,磁速度传感器包含电连接以形成感测布置的多个磁阻感测元件,多个磁阻感测元件中的每个包含自由层和参考系统,其中多个磁阻感测元件包含100个或更多个磁阻感测元件。
依据进一步实施例,方法包括利用磁速度传感器来感测绕轴旋转。磁速度传感器包括形成感测布置的自旋阀类型的多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。感测布置包括电桥电路,其中电桥电路的每个电阻器包括至少多于100个磁阻感测元件。
依据进一步实施例,磁阻器件包括多个磁阻感测元件和用于电连接多个磁阻元件中的分别磁阻元件的连接结构。连接结构包括垂直延伸部分,其中分别垂直延伸部分沿界面平面接触分别磁阻元件,其中垂直延伸部分沿界面平面在横向方向上延伸超过磁阻元件。
附图说明
图1A示出依据实施例的电路;
图1B示出包含旋转元件的旋转感测系统的示意视图;
图2A示出磁阻感测元件的布置的示意顶视图;
图2B示出磁阻感测元件的示意横截面视图;
图2C和2D示出不同自由层形状的顶视图;
图2E和2F示出图解取决于磁阻感测元件的数目的跳动的图;
图3A和3B示出示例结构的顶视图和横截面视图;
图4A和4B示出示例结构的顶视图和横截面视图;
图5A和5B示出示例结构的顶视图和横截面视图;
图6A和6B示出示例结构的顶视图和横截面视图;
图7A和7B示出示例结构的顶视图和横截面视图;
图8示出示例结构的横截面视图;
图9A到9D示出示例结构的顶视图。
具体实施方式
下面详细描述解释本发明的示范性实施例。不以限制意思来理解描述而仅出于图解发明的实施例的一般性原理进行描述同时保护范围仅由所附权利要求来确定。
要理解在本文中描述的各种示范性实施例的特征可以彼此组合,除非另外特定指出。
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