[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510666124.8 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106611709B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11517;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极叠层，所述栅极叠层包括依次层叠的浮栅、隔离层、控制栅和掩膜层；
步骤S2：在所述半导体衬底和所述栅极叠层上依次形成第一间隙壁材料层和第二间隙壁材料层，以覆盖所述栅极叠层，其中所述第一间隙壁材料层选用氧化物；
步骤S3：蚀刻所述第二间隙壁材料层，以露出所述半导体衬底上的以及所述掩膜层上部侧壁上的所述第一间隙壁材料层；
步骤S4：蚀刻去除露出的所述第一间隙壁材料层，以在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；
步骤S5：沉积停止层，以覆盖所述间隙壁以及所述掩膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隙壁材料层与所述第二间隙壁材料层的蚀刻选择比大于3。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，蚀刻所述第二间隙壁材料层之后，露出的所述掩膜层上部侧壁上的所述第一间隙壁材料层覆盖的所述掩膜层的高度为800～1500埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
步骤S6：沉积层间介电层，以覆盖所述栅极叠层；
步骤S7：图案化所述层间介电层并以所述停止层为蚀刻停止层，以在所述栅极叠层之间形成接触孔开口。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述半导体衬底上还形成有栅极介电层，所述栅极叠层位于所述栅极介电层的上方。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，去除所述露出的所述第一间隙壁材料层的同时去除露出的所述栅极介电层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用干法蚀刻或者湿法蚀刻去除露出的所述第一间隙壁材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁材料层选用氮化物；
所述停止层选用氮化物。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
