[发明专利]静态随机存取存储器单元、静态随机存取存储器及电子装置有效
| 申请号： | 201510666331.3 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601287B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 电子 装置 | ||
1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括：
交叉耦合的第一反相器和第二反相器，其中，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第一反相器具有第一存储节点，所述第二反相器具有第二存储节点，所述第一存储节点和第二存储节点分别通过第一传输晶体管和第二传输晶体管连接至写位线对的其中一个，所述第一传输晶体管的栅极和第二传输晶体管的栅极连接至写字线；
接在读位线和低电平之间的读传输晶体管；
所述读传输晶体管的栅极通过第三反相器与所述第一存储节点或第二存储节点相连，所述第三反相器包括读上拉晶体管和读下拉晶体管，所述第三反相器连接在读字线和低电平之间或读字线和高电平之间。
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述读传输晶体管为NMOS管。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第三反相器接在读字线和低电平之间。
4.如权利要求3所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，在读取所述静态随机存取存储器单元时，所述读位线被预充至高电平，所述读字线被置于高电平，如果所述第一或第二存储节点为“1”，则读位线电平不变，读出与所述第一或第二存储节点相同的信号“1”，如果所述第一或第二存储节点为“0”，则读位线电平被拉低，读出与所述第一或第二存储节点相同的信号“0”。
5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述读传输晶体管为PMOS管。
6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第三反相器接在高电平和读字线之间。
7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，
在读取所述静态随机存取存储器单元时，所述读位线被预充至高电平，所述读字线被置于低电平，如果所述第一或第二存储节点为“1”，则读位线电平被拉低，读出与所述第一或第二存储节点相反的信号“0”，如果所述第一或第二存储节点为“0”，则读位线电平不变，读出与所述第一或第二存储节点相反的信号“1”。
8.如权利要求1-7之一所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述读传输晶体管包括一个鳍片。
9.如权利要求1-7之一所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述读传输晶体管包括两个以上的鳍片。
10.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括多个由如权利要求1-9之一所述的静态随机存取存储器单元组成的存储单元阵列。
11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的静态随机存取存储器以及与所述静态随机存取存储器相连接的电子组件。
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