[发明专利]高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺有效

专利信息
申请号: 201510668834.4 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN105336768B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 李东华;马捷;侯杰;韩希方;侯秀萍;张庆猛 申请(专利权)人: 济南市半导体元件实验所
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;H01L21/60
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250014*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 可靠 表面 贴装玻封 二极管 封装 工艺
【说明书】:

发明公开了一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,所述二极管包括玻壳、位于玻壳内的芯片、套设在玻壳两端的引出端,引出端与芯片之间设有焊片,二极管的引出端与玻壳、引出端与焊片、芯片通过高温冶金工艺键合在一起。冶金键合结构具有可靠性高、耐大电流冲击、热阻小的优点,且工作温度范围宽(‑55℃~125℃),耐高温焊接(在550℃环境下15分钟,参数不恶化);产品选材实现了产品的全工作温度范围的热匹配;整个工艺过程中采用氮气为保护气体,生产安全,无危险气体使用;制成的二极管安装体积小,组装密度高,重量轻;工艺操作简单,易实现批量或大规模生产。

技术领域

本发明涉及一种二极管的封装工艺,具体的说,是一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,属于二极管封装技术领域。

背景技术

目前大量使用的小电流肖特基二极管,其封装形式为轴向引线玻璃封装,安装体积大、重量大、引线阻抗大,导致整机的体积增大、可靠性降低,已经不适合高精尖武器装备系统的高密度、高性能、高可靠要求。表面贴装小电流肖特基二极管是以金属硅化物(如MoSi2)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒制成的金属硅化物—硅接触半导体器件。器件芯片势垒是采用金属硅化物—硅接触的肖特基势垒,提高了器件的正向特性;同时芯片采用保护环和多层金属化结构,提高了器件的反向耐压反向特性和抗热疲劳性能。表面贴装玻封小电流肖特基二极管系列具有正向压降低、反向恢复快、体积小、重量轻、效率高等特点,主要作为开关、整流二极管用于开关电源、高频整流等电路中,产品的性能直接影响到主电源系统的运行速度及工作效率,对于提高整机的性能及优化系统设计等方面起到至关重要的作用,产品可广泛应用于计算机、雷达、通讯发射机、航天飞行器、仪器仪表等方面。

目前,表面贴装玻封二极管的芯片与引出端的连接方式为压接,即利用外力(如弹片的形变压力,玻璃高温形变的收缩力)实现芯片与引出端的接卸机械接触,这种连接方式可靠性低,不能满足长期可靠性的要求。

发明内容

针对现有技术的缺陷,本发明提供一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,利用该封装工艺制成的二极管可靠性高,工作温度宽,耐高温焊接,热匹配良好。

为了解决所述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,所述二极管包括玻壳、位于玻壳内的芯片、套设在玻壳两端的引出端,引出端与芯片之间设有焊片,其特征在于:二极管的引出端与玻壳、引出端与焊片、芯片通过高温冶金工艺键合在一起。

进一步的,本发明所述高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺包括以下步骤:

1)、制备芯片,芯片厚度为210μm±50μm;

2)、用模具将芯片、焊片、引出端和玻壳装配在一起;

3)、氮气烧结,打开烧结炉,按工艺条件设置工作温度及氮气流量,氮气流量为1000ml/min±10ml/min,待炉口温度升到300℃±20℃时,将装有半成品器件的模具放至炉口预热至少10min;炉温升到620℃±20℃后,将模具推入恒温区,达到预定的恒温时间将模具拉至炉口冷却30min,最后取出模具自然冷却到室温,完成封装,实现引出端、焊片与芯片良好的冶金键合以及玻壳与引出端的密封。

进一步的,上述恒温过程中,恒温时间为10-30min。

进一步的,所述焊片为银铜锡片,银铜锡的重量比为6:3:1。

进一步的,所述芯片为势垒能耐600℃以上高温烧结的表面镀银的芯片。

进一步的,所述引出端的材料为杜美丝,引出端的外表面为铜,里面为铁镍合金。

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