[发明专利]基片及基片形成方法

权利要求书

1.一种基片，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的外延层，所述外延层上具有多个微型坑，其中，所述多个微型坑通过熔融氢氧化钾在所述外延层上刻蚀形成；

形成在所述外延层上的量子点发光层；

形成在所述量子点发光层上的电子阻挡层；以及

形成在所述电子阻挡层上的帽层。

2.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述微型坑的深度位于0-200nm之间，所述微型坑的直径位于0-300nm之间。

3.根据权利要求1或2所述的基片，其特征在于，所述外延层包括：形成在所述衬底之上的未掺杂的氮化镓层和形成在所述未掺杂的氮化镓层之上的n型氮化镓层，

所述多个微型坑通过熔融氢氧化钾在所述n型氮化镓层上刻蚀形成。

4.根据权利要求1所述的基片。其特征在于，所述量子点发光层的材料为氮化铟镓和氮化镓，所述电子阻挡层的材料为p型氮化铝镓，所述帽层的材料为p型氮化镓。

5.一种基片形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成外延层，以得到外延片；

通过熔融氢氧化钾在所述外延片的外延层上进行刻蚀，以在所述外延层上形成多个微型坑；

在所述外延层上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成电子阻挡层；以及

在所述电子阻挡层上形成帽层。

6.根据权利要求5所述的基片形成方法，其特征在于，所述通过熔融氢氧化钾在所述外延片的外延层上进行刻蚀，以在所述外延层上形成多个微型坑，进一步包括：

将所述外延片用氢氧化钾覆盖；

以预设加热温度对所述外延片进行加热直至达到预设时间后，在所述外延层上形成所述多个微型坑。

7.根据权利要求6所述的基片形成方法，其特征在于，所述预设加热温度位于200-300℃之间，所述预设时间位于1-30min之间。

8.根据权利要求5所述的基片形成方法，其特征在于，所述微型坑的深度位于0-200nm 之间，所述微型坑的直径位于0-300nm之间。

9.根据权利要求5-8任一项所述的基片形成方法，其特征在于，所述外延层包括：形成在所述衬底之上的未掺杂的氮化镓层和形成在所述未掺杂的氮化镓层之上的n型氮化镓层，所述外延片为氮化镓基外延片，

通过熔融氢氧化钾在所述氮化镓基外延片的n型氮化镓层上进行刻蚀，以在所述n型氮化镓层上形成多个微型坑。

10.根据权利要求5所述的基片形成方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料为氮化铟镓和氮化镓，所述电子阻挡层的材料为p型氮化铝镓，所述帽层的材料为p型氮化镓。