[发明专利]基片及基片形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基片及基片的形成方法。

背景技术

在发光二极管等光电子器件中，一般使用宽禁带材料三族氮化物(例如氮化镓等)形成基片，以充分利用其禁带宽度、发光波段覆盖范围广和发光效率高等优点。而在宽禁带材料的结构上，随着材料维度的降低和特征尺寸的减小，量子尺寸效应、量子隧穿效应和量子干涉效应等会表现地愈加明显，从而光电子器件的性能也会愈加优越。

因此，相对于二维的量子阱结构，采用准零维的量子点结构会大大提高光电子器件的性能，例如，提高光电子器件的发光量子效率和发光波长的均匀性等。

目前，相关技术中可通过在上述氮化物材料层上生长掩膜，然后通过掩膜形成量子点。但是生长掩膜和通过掩膜形成量子点的过程一般较为复杂，而且常会由于掩膜上的图形分辨率低而导致量子点尺寸难以控制，所形成的基片次品率较高。这无疑阻碍了采用量子点结构的光电子器件的发展。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种基片，能够简单方便地形成量子点结构，生产效率和质量水平较高，推动了性能优越的量子点结构的光电子器件的发展。

本发明的第二个目的在于提出一种基片形成方法。

根据本发明第一方面实施例的基片，包括：衬底；形成在所述衬底之上的外延层，所述外延层上具有多个微型坑，其中，所述多个微型坑通过熔融氢氧化钾在所述外延层上刻蚀形成；形成在所述外延层上的量子点发光层；形成在所述量子点发光层上的电子阻挡层；以及形成在所述电子阻挡层上的帽层。

根据本发明实施例的基片，通过熔融氢氧化钾在基片的半导体材料层上刻蚀形成多个微型坑，以在微型坑上形成量子点发光层，与相关技术相比，能够简单方便地形成量子点结构，同时量子点的尺寸易于控制，从而能够提高该类基片的生产效率和质量水平，推动了性能优越的量子点结构的光电子器件的发展。

根据本发明第二方面实施例的基片形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成外延层，以得到外延片；通过熔融氢氧化钾在所述外延片的外延层上进行刻蚀，以在所述外延层上形成多个微型坑；在所述外延层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子阻挡层；以及在所述电子阻挡层上形成帽层。

根据本发明实施例的基片形成方法，通过熔融氢氧化钾在基片的半导体材料层上刻蚀形成多个微型坑，以在微型坑上形成量子点发光层，与相关技术相比，能够简单方便地形成量子点结构，同时量子点的尺寸易于控制，从而能够提高该类基片的生产效率和质量水平，推动了性能优越的量子点结构的光电子器件的发展。

附图说明

图1为根据本发明一个实施例的基片的结构示意图；

图2为根据本发明一个实施例的基片中多个微型坑的示意图；

图3为根据本发明一个实施例的量子点发光层的示意图；

图4为根据本发明一个实施例的基片形成方法的流程图。

附图标记：

衬底10、外延层20、微型坑21、量子点发光层30、电子阻挡层40以及帽层50。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面结合附图描述本发明实施例的基片及基片形成方法。

图1为根据本发明一个实施例的基片的结构示意图。

如图1所示，本发明实施例的基片，包括：衬底10、形成在所述衬底之上的外延层20、形成在外延层20上的量子点发光层30、形成在量子点发光层上30的电子阻挡层40和形成在电子阻挡层40上的帽层50。

需要说明的是，在本发明的一个实施例中，外延层20、量子点发光层30、电子阻挡层40和帽层50的形成均可通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现，具体的实现方法在半导体领域为人们所熟知，在此不再赘述。

在本发明的一个实施例中，衬底10可为蓝宝石衬底或蓝宝石图形化衬底。