[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法有效
申请号: | 201510672501.9 | 申请日: | 2015-10-16 |
公开(公告)号: | CN105529288B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 中森光则;北野淳一;南辉臣 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板液处理装置,其特征在于,
该基板液处理装置包括:
纯水供给部,其用于向基板供给纯水;以及
干燥液供给部,其用于向所述基板供给挥发性比纯水的挥发性高的挥发性较高的干燥液,
所述干燥液供给部向所述基板供给干燥液以将所述基板上的纯水置换为所述干燥液,所述挥发性较高的干燥液的一部分含有具有使纯水分解的能力的硅系有机化合物,在将所述基板上的纯水置换为所述干燥液之后,所述基板液处理装置将残留于所述基板上的置换了所述纯水的所述干燥液自所述基板去除,由此结束所述基板的干燥处理。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述干燥液供给部具有用于供给包括硅系有机化合物的第1药液的第1药液供给部和用于供给包括其他有机化合物的第2药液的第2药液供给部,所述干燥液供给部向所述基板供给所述第1药液和所述第2药液的混合液。
3.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述干燥液供给部在供给所述混合液之后自所述第2药液供给部供给不含有所述第1药液的第2药液。
4.根据权利要求2或3所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述干燥液供给部在供给所述混合液之前自所述第2药液供给部供给不含有所述第1药液的第2药液。
5.根据权利要求2或3所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述干燥液供给部自所述第1药液供给部供给第1药液的同时自所述第2药液供给部供给第2药液。
6.根据权利要求2或3所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述干燥液供给部供给将所述第1药液和所述第2药液预先混合而成的混合液。
7.一种基板液处理方法,其特征在于,
该基板液处理方法包括以下工序:
纯水供给工序,在该纯水供给工序中,向基板供给纯水;
干燥工序,在纯水供给工序之后,在该干燥工序中,具有向所述基板供给挥发性比所述纯水的挥发性高的挥发性较高的干燥液的工序,以对所述基板进行干燥处理,
所述干燥工序包括向所述基板供给干燥液的干燥液供给工序和将干燥液自基板去除的干燥液去除工序,
在干燥液供给工序中,具有供给干燥液的工序以将所述基板上的纯水置换为所述干燥液,所述挥发性较高的干燥液的一部分含有具有使纯水分解的能力的硅系有机化合物,在将所述基板上的纯水置换为所述干燥液之后,将残留于所述基板上的置换了所述纯水的所述干燥液自所述基板去除,由此结束所述基板的干燥处理。
8.根据权利要求7所述的基板液处理方法,其特征在于,
所述干燥液是包括第1药液和第2药液的混合液,该第1药液包括硅系有机化合物,该第2药液包括其他有机化合物,
在所述干燥液供给工序中具有供给所述混合液的混合液供给工序。
9.根据权利要求8所述的基板液处理方法,其特征在于,
在所述混合液供给工序之后,具有供给不含有所述第1药液的所述第2药液的后处理工序。
10.根据权利要求8或9所述的基板液处理方法,其特征在于,
在所述混合液供给工序之前,具有供给不含有所述第1药液的所述第2药液的前处理工序。
11.根据权利要求8或9所述的基板液处理方法,其特征在于,
同时供给所述第1药液和所述第2药液。
12.根据权利要求8或9所述的基板液处理方法,其特征在于,
供给将所述第1药液和所述第2药液预先混合而成的混合液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510672501.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制作方法
- 下一篇:一种半导体预湿润装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造