[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201510672891.X | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601706B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 叶菲;李海艇;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基底，所述基底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
层间介电层，形成于所述基底的所述第一表面上；
金属互连结构，形成于所述层间介电层中；
焊盘，所述焊盘连接所述金属互连结构的底部金属层；
静电放电保护元件，其位于所述焊盘的下方、所述基底的第一表面上；
硅通孔，所述硅通孔位于所述底部金属层的下方，其与所述底部金属层相连接，并穿过所述静电放电保护元件将所述焊盘与所述静电放电保护元件电连接，且所述硅通孔的另一端从所述基底的所述第二表面露出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述的基底的第一表面上还形成有多个CMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述层间介电层中还形成有分别与所述多个CMOS晶体管相连的多个金属互连结构。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述基底的所述第二表面上还形成有钝化层，其中，所述钝化层覆盖所述硅通孔的所述另一端。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层的材料包括氧化铝。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅通孔的材料选自钨、铜、铝、银、锡和金中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述静电放电保护元件为二极管。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互连结构包括若干层金属层以及连接若干层金属层的金属通孔。
9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510672891.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液冷结构
- 下一篇：一种可更换引脚的芯片
