[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的阱区上形成有NMOS和PMOS的具有第一高度的鳍片；

步骤S2：在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁，以覆盖所述鳍片的侧壁；

步骤S3：以所述间隙壁为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以增加所述鳍片的高度，形成第二高度的台阶形鳍片；

步骤S4：在所述半导体衬底上以及所述间隙壁下方的所述台阶形鳍片的侧壁上形成扩散阻挡层；

步骤S5：在所述台阶形鳍片的底部执行沟道停止离子注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中还进一步包括在所述间隙壁和所述扩散阻挡层上形成衬垫层的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

步骤S6：沉积隔离材料层，以覆盖所述衬垫层；

步骤S7：回蚀刻所述隔离材料层至所述鳍片的所述第一高度，以露出所述鳍片侧壁上的所述衬垫层；

步骤S7：去除所述鳍片上的所述衬垫层和所述间隙壁，以露出所述鳍片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层，在所述步骤S7露出所述鳍片之后，还进一步包括去除所述鳍片顶部的所述硬掩膜层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述扩散阻挡层选用SiC。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，通过外延法在所述半导体衬底上以及所述间隙壁下方的所述台阶形鳍片的侧壁上形成所述扩散阻挡层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述半导体衬底上和所述鳍片的表面上形成间隙壁材料层；

步骤S22：蚀刻所述间隙壁材料层，以去除所述半导体衬底上的所述间隙壁材料层，在所述鳍片侧壁上形成所述间隙壁。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上形成垫氧化物层；

步骤S12：在NMOS区域中执行第一类型离子注入，以形成P阱，在PMOS区域中执行第二类型离子注入，以形成N阱；

步骤S13：在所述半导体衬底上形成有图案化的掩膜层并以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以分别在所述NMOS区域和所述PMOS区域形成第一高度的所述鳍片。

9.一种如权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。