[发明专利]图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器有效
申请号: | 201510673228.1 | 申请日: | 2015-10-16 |
公开(公告)号: | CN105529342B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 安正查;罗承柱;李景镐;郑荣友 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;王兆赓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 包括 | ||
1.一种图像传感器的像素,所述像素包括:
光电二极管,被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷;
存储二极管,被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷;以及
存储栅极,被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管,存储栅极包括向着光电二极管延伸的第一垂直栅极和向着存储二极管延伸的第二垂直栅极。
2.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:溢出栅极,被配置为在与第一时间段不同的第二时间段期间控制在光电二极管中累积的光电荷溢出到存储二极管中,溢出栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
3.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:
浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;以及
转移栅极,被配置为控制在存储二极管中存储的光电荷转移到浮置扩散,转移栅极包括向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。
4.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:
光电二极管区域,包括光电二极管;以及
存储二极管区域,包括存储二极管,
其中,光电二极管区域和存储二极管区域被布置为相对于行方向和/或列方向倾斜。
5.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷,其中,浮置扩散的电压电平由相邻的像素感测。
6.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:在光电二极管和存储二极管之间的第二深沟槽隔离,以遮蔽存储二极管免受入射光。
7.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:
浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;
复位晶体管,被配置为控制浮置扩散的复位;
源极跟随器,被配置为生成与浮置扩散的电压电平对应的电流;以及
选择晶体管,被配置为输出电流作为像素信号。
8.一种被配置为在全局快门模式中操作的图像传感器,所述图像传感器包括:
像素阵列,包括多个像素,所述多个像素中的每一个像素在第一时间段期间输出与入射光对应的像素信号;
读出电路,被配置为对像素信号执行模拟数字转换,以生成数字像素信号;以及
时序生成器,被配置为控制像素阵列和读出电路,
其中,所述多个像素中的每一个像素包括:
光电二极管,被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷;
存储二极管,被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷;以及
存储栅极,被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管,存储栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构和向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素还包括:溢出栅极,被配置为在与第一时间段不同的第二时间段期间控制在光电二极管中累积的光电荷溢出到存储二极管中,溢出栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素还包括:
浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;以及
转移栅极,被配置为控制在存储二极管中存储的光电荷转移到浮置扩散,转移栅极包括向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。
11.根据权利要求8所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷,其中,浮置扩散的电压电平由与所述多个像素中的每一个像素相邻的像素感测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510673228.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种亮度均匀的发光照明屏及其制备方法
- 下一篇:X射线管旋转阴极组件装配装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的