[发明专利]图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器有效

专利信息
申请号: 201510673228.1 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN105529342B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 安正查;罗承柱;李景镐;郑荣友 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素 包括
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的像素,所述像素包括:

光电二极管,被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷;

存储二极管,被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷;以及

存储栅极,被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管,存储栅极包括向着光电二极管延伸的第一垂直栅极和向着存储二极管延伸的第二垂直栅极。

2.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:溢出栅极,被配置为在与第一时间段不同的第二时间段期间控制在光电二极管中累积的光电荷溢出到存储二极管中,溢出栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。

3.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:

浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;以及

转移栅极,被配置为控制在存储二极管中存储的光电荷转移到浮置扩散,转移栅极包括向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。

4.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:

光电二极管区域,包括光电二极管;以及

存储二极管区域,包括存储二极管,

其中,光电二极管区域和存储二极管区域被布置为相对于行方向和/或列方向倾斜。

5.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷,其中,浮置扩散的电压电平由相邻的像素感测。

6.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:在光电二极管和存储二极管之间的第二深沟槽隔离,以遮蔽存储二极管免受入射光。

7.根据权利要求1所述的像素,所述像素还包括:

浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;

复位晶体管,被配置为控制浮置扩散的复位;

源极跟随器,被配置为生成与浮置扩散的电压电平对应的电流;以及

选择晶体管,被配置为输出电流作为像素信号。

8.一种被配置为在全局快门模式中操作的图像传感器,所述图像传感器包括:

像素阵列,包括多个像素,所述多个像素中的每一个像素在第一时间段期间输出与入射光对应的像素信号;

读出电路,被配置为对像素信号执行模拟数字转换,以生成数字像素信号;以及

时序生成器,被配置为控制像素阵列和读出电路,

其中,所述多个像素中的每一个像素包括:

光电二极管,被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷;

存储二极管,被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷;以及

存储栅极,被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管,存储栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构和向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。

9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素还包括:溢出栅极,被配置为在与第一时间段不同的第二时间段期间控制在光电二极管中累积的光电荷溢出到存储二极管中,溢出栅极包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。

10.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素还包括:

浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷;以及

转移栅极,被配置为控制在存储二极管中存储的光电荷转移到浮置扩散,转移栅极包括向着存储二极管延伸的垂直栅极结构。

11.根据权利要求8所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:浮置扩散,被配置为接收在存储二极管中存储的光电荷,其中,浮置扩散的电压电平由与所述多个像素中的每一个像素相邻的像素感测。

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