[发明专利]曝光装置及曝光方法

说明书

本发明组合光曝光技术及带电粒子束曝光技术而形成复杂且微细的图案。本发明提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置对与试样上的线图对应的位置照射带电粒子束，且具备：射束产生部，在线图的宽度方向上产生照射位置不同的多个带电粒子束；扫描控制部，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图的长度方向扫描；选择部，在线图上的长度方向的被指定的照射位置选择多个带电粒子束中的至少一个带电粒子束，使其应照射至所述试样；以及照射控制部，控制将所选择的至少一个带电粒子束照射至试样。

技术领域

本发明涉及一种曝光装置及曝光方法。

背景技术

以往，已知有如下互补光刻法，即，通过利用使用电子束等带电粒子束的曝光技术， 对线宽为数十纳米左右的利用光曝光技术形成的单纯的线图进行加工，而形成微细的配 线图(例如，参照专利文献1及2)。此外，还已知有使用多个带电粒子束的多光束曝光 技术(例如，参照专利文献3及4)。

专利文献1日本专利特开2013-16744号公报

专利文献2日本专利特开2013-157547号公报

专利文献3美国专利第7276714号说明书

专利文献4日本专利特开2013-93566号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

然而，在此种方法中，如果使用将多个带电粒子束照射至图案的多光束曝光技术，那么难以利用该多光束加工以不同线宽及不同间距形成的线图。另一方面，关于应制作 的半导体装置的图案，还存在只加工同一线宽且同一间距的单纯的线图则无法应对的情 况，故而期待一种能够加工以不同线宽及不同间距形成的线图的技术。

[解决问题的手段]

在本发明的第1形态中，提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置对与试样上的线图对应的位置照射带电粒子束，且具备：射束产生部，在线图的宽度方向上产生照射 位置不同的多个带电粒子束；扫描控制部，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图的长 度方向扫描；选择部，在线图上的长度方向的被指定的照射位置，选择多个带电粒子束 中的应照射至试样的至少一个带电粒子束；以及照射控制部，进行将所选择的至少一个 带电粒子束向试样照射的控制。

另外，所述发明的概要并未列举本发明的全部可选特征。此外，这些特征群的下位组合也能成为发明。

附图说明

图1表示本发明具体实施方式的曝光装置100的构成例。

图2表示本发明具体实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而在试样10的表面的一部分形成的能照射区域200的一例。

图3表示本发明具体实施方式的曝光装置100的动作流程。

图4表示应在试样10形成的切割图的信息的一例。

图5表示本发明具体实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至帧的 起点的情况的一例。

图6表示本发明具体实施方式的选择部160的一例。

图7表示本发明具体实施方式的曝光控制部140对遮没电极64供给的控制信号的时序图的一例。

图8表示形成于试样10的表面的线图802的一例。

图9表示形成于试样10的表面的配线图900的一例。

图10表示形成有不同线宽及不同线间隔的线图的试样10的一例。

图11表示使本发明具体实施方式的电子束的照射区域502与网格800对应地配置的示例。