[发明专利]一种Ni亚微米管的制备方法在审
| 申请号： | 201510673414.5 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105349954A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张伟;陈昶;刘春海;崔学军;杨瑞嵩;陈建;金永中;曾宪光 | 申请（专利权）人： | 四川理工学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 643000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ni 微米 制备 方法 | ||
1.一种Ni亚微米管的制备方法，其特征在于，先将基底和Ni靶材进行清洗预处理；然后采用磁控溅射在基底上沉积Ni层；接着利用高真空对沉积后的模板进行退火热处理；最后用碱液溶解模板，除去模板后清洗，即得到Ni亚微米管。
2.根据权利要求1所述的Ni亚微米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)基底和Ni靶材的预处理：首先将基底放入99.5％的丙酮中利用超声波清洗10～15min，然后放入浓度为99.7％的无水乙醇中利用超声波清洗10～15min，烘干后在真空度2.0～3.0×10-4Pa下进行反磁控溅射清洗10～15min，其中，反磁控溅射功率为60～120W，工作气体为Ar，反磁控溅气压为1～2Pa；随后在真空度为0.5～1Pa，对Ni靶材进行磁控预溅清洗10～15min；
(2)沉积Ni层：在工作真空度为0.4～0.8Pa，Ni靶材磁控溅射功率为50～120W条件下，沉积Ni6～10h，每沉积1～2h停0.5h，且放置基底的样品台与Ni靶材间的间距为5～8cm；
(3)热处理：在真空度低于0.133Pa，升温速率为10～20℃/min，退火温度为300～500℃条件下，对沉积了Ni层的基底进行退火热处理2～3h，然后在不关真空系统条件下，随炉自然冷却；
(4)碱液溶解模板：将模板取出放入1mol/L的NaOH溶液中进行溶解，除去模板后用去离子水洗涤，即得Ni亚微米管。
3.根据权利要求1或2所述的一种Ni亚微米管的制备工艺，其特征在于，所述基底为阳极氧化铝模板，且孔型为V型；所述Ni靶材为纯度为99.999％的金属Ni。
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