[发明专利]一种Ni亚微米管的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510673414.5 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN105349954A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 张伟;陈昶;刘春海;崔学军;杨瑞嵩;陈建;金永中;曾宪光 申请(专利权)人: 四川理工学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/18
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 643000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 ni 微米 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种金属纳米管的制备方法,具体涉及一种Ni亚微米管的制备方法。

背景技术

近年来,金属纳米管因具有独特的中空结构、优异的催化性能以及易修饰等特点,逐步发展成为一类重要的功能纳米材料,在磁学、力学、传感器、生物医学、燃料电池和蓄电池等领域具有巨大的应用前景。因此,引起了国内外研究人员的广泛关注。

目前,制备金属纳米管有很多方法。其中,模板法是制备金属纳米管的重要方法,即利用模板的纳米级孔阵列,用物理、化学、电化学等方法将材料注入模板孔阵列,最终得到所需材质纳米管。常用模板包括阳极氧化铝(AAO)模板、聚合物模板、介孔固体模板等,其中AAO模板由于具有纳米级的高密度孔阵列、孔径以及孔深可控等优点,能够用于组装多种特定结构的纳米材料,在一维纳米材料的制备中得到广泛应用。另外,还有利用化学镀和电沉积方法制备了Ni纳米管阵列。例如,W.Wang,N.Li,X.T.Li,W.C.Geng,S.L.Qiu,MaterResBull.1417-1423(2006)41通过化学镀方法制得了Ni纳米管,但是,该方法需要引入Sn2+、Pd2+对模板孔壁进行敏化或活化处理,从而导致合成的Ni纳米管不纯。X.R.Li,Y.Q.Wang,G.J.Song,Z.Peng,Y.M.Yu,X.L.She,J.J.Li,NanoscaleResLett.1015-1020(2009)4利用电沉积法制备了Ni纳米管阵列,然而由于AAO模板存在绝缘阻挡层,在电沉积前,须在模板的一面喷镀上导电金属籽晶层。由此,不仅需要特殊的喷镀设备,而且导电层在后处理过程中很难被完全去除。因此,开发探索一种工艺简单、重复性好、成本低的Ni亚微米管的制备方法,具有重要的现实意义。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供了一种采用磁控溅射在阳极氧化铝模板上通过热处理制备Ni亚微米管的方法。

本发明解决其技术问题采用的技术方案是,一种Ni亚微米管的制备方法,先将基底和Ni靶材进行清洗预处理;然后采用磁控溅射在基底上沉积Ni层;接着利用高真空对沉积后的模板进行退火热处理;最后用碱液溶解模板,除去模板后清洗,即得到Ni亚微米管。

进一步,所述Ni亚微米管的制备方法,包括以下步骤:

(1)基底和Ni靶材的预处理:首先将基底放入99.5%的丙酮中利用超声波清洗10~15min,然后放入浓度为99.7%的无水乙醇中利用超声波清洗10~15min,烘干后在真空度2.0~3.0×10-4Pa下进行反磁控溅射清洗10~15min,其中,反磁控溅射功率为60~120W,工作气体为Ar,反磁控溅气压为1~2Pa;随后在真空度为0.5~1Pa,对Ni靶材进行磁控预溅清洗10~15min;

(2)沉积Ni层:在工作真空度为0.4~0.8Pa,Ni靶材磁控溅射功率为50~120W条件下,沉积Ni6~10h,每沉积1~2h停0.5h,且放置基底的样品台与Ni靶材间的间距为5~8cm;

(3)热处理:在真空度低于0.133Pa,升温速率为10~20℃/min,退火温度为300~500℃条件下,对沉积了Ni层的基底进行退火热处理2~3h,然后在不关真空系统条件下,随炉自然冷却;

(4)碱液溶解模板:将模板取出放入1mol/L的NaOH溶液中进行溶解,除去模板后用去离子水洗涤,即得Ni亚微米管。

进一步,所述基底为AAO模板,且孔型为V型,在制备工艺方面,AAO模板制备工艺极为成熟且工艺简单,易于实现不同长径比的多孔状模板的制备,在制备成本方面,AAO模板制备成本低廉,适合大规模应用,因此,AAO模板要优于聚合物模板或云母模板;所述Ni靶材为纯度为99.999%的金属Ni,使用效果更好。

本发明采用磁控溅射方法,整个沉积工艺过程常温即可进行,工艺简单易行且重复性好,成本低,清洁环保,适合于规模化应用;制备所得的Ni亚微米管高度有序,内外径基本一致,并可采用不同规格的AAO模板制备不同长度和内外径的Ni亚微米管,以满足实际需要。

附图说明

图1为本发明实施例1制备的Ni亚微米管的扫描电子显微镜(SEM)形貌图;

图2为本发明实施例1制备的Ni亚微米管的扫描电子显微镜(SEM)截面图。

图3为本发明实施例2制备的Ni亚微米管的扫描电子显微镜(SEM)形貌图。

图4为本发明实施例3制备的Ni亚微米管的扫描电子显微镜(SEM)形貌图。

具体实施方式

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