[发明专利]用于低温覆晶接合的接合垫结构

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，包括：

分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上，该第一及该第二接合垫每一个具有多个金属区段，该第一接合垫的该金属区段具有与该第二接合垫的该金属区段不同的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置，且其中，在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列区段，该纵列为彼此交错配置，以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括横列区段，该横列为彼此交错配置，其中，该纵列区段为垂直于该横列区段；以及

通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，包括在该第一半导体元件上形成相比于在该第二半导体元件上的该第二接合垫的较大第一接合垫。

3.根据权利要求1所述的方法，包括通过铜镶嵌工艺分别地在该第一及第二半导体元件上图案化该第一及第二接合垫。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过介电层分别地围绕于该第一及第二半导体元件上的该第一及第二接合垫；以及

以化学或等离子活化熔融接合工艺通过该介电层将该第一及第二半导体元件接合在一起。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一及第二半导体元件包含围绕该金属区段的低温非有机层，该方法进一步包括在接合在一起前通过化学机械抛光分别地平坦化该第一及第二半导体元件上的该第一及第二接合垫及该低温非有机层。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过铜镶嵌工艺而图案化于该第一及第二半导体元件上的该接合垫，以及通过在经图案化的该接合垫中的铜对铜接合将该第一及第二半导体元件接合在一起。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列及横列的金属岛状物，以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括线路区段，该线路为彼此交错配置，其中，该线路区段相对于该纵列及横列金属岛状物呈现45度角。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在该第一半导体元件上的第一接合垫的该金属区段包括具有横列及纵列的第一格栅，以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括具有横列及纵列的第二格栅，其中，具有横列及纵列的该第二格栅相对于具有横列及纵列的该第一格栅呈现45度角。

9.一种半导体元件，包括：

分别具有第一及第二接合垫的第一及第二半导体元件，其通过该第一及第二接合垫而接合在一起，该第一及第二接合垫的每一个具有多个金属区段，该第一接合垫的该金属区段具有不同于该第二接合垫的该金属区段的配置或者具有相对于该第二接合垫的该金属区段的配置而旋转的配置，且其中，在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列区段，该纵列为彼此交错配置，以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括横列区段，该横列为彼此交错配置，其中，该纵列区段为垂直于该横列区段。

10.根据权利要求9所述的元件，其中，在该第一半导体元件上的该第一接合垫较大于在该第二半导体元件上的该第二接合垫。

11.根据权利要求9所述的元件，其中，该第一及第二接合垫的每一个具有多个铜区段。

12.根据权利要求9所述的元件，其中，该第一接合垫的该金属区段的配置相对于该第二接合垫的该金属区段的配置旋转45度至90度角。

13.根据权利要求9所述的元件，其中，在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列及横列的金属岛状物，并且在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括线路区段，该线路为彼此交错配置，其中，该线路区段对于该纵列及横列金属岛状物呈现45度角。

14.根据权利要求9所述的元件，其中，在该第一半导体元件上的第一接合垫的该金属区段包括具有横列及纵列的第一格栅，并且在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括具有横列及纵列的第二格栅，其中，具有横列及纵列的该第二格栅相对于具有横列及纵列的该第一格栅呈现45度角。