[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1陶瓷基板；

第2陶瓷基板；

陶瓷间金属，其具有中间部、第1上攀部、第2上攀部、第1连接部以及第2连接部，其中，该中间部夹在所述第1陶瓷基板的上表面和所述第2陶瓷基板的下表面之间，该第1上攀部形成于所述第2陶瓷基板的上表面，该第2上攀部形成于所述第2陶瓷基板的上表面，该第1连接部与所述第2陶瓷基板的外缘相接并将所述中间部和所述第1上攀部连接，该第2连接部与所述第2陶瓷基板的外缘相接并将所述中间部和所述第2上攀部连接；

电路图案，其由金属形成在所述第2陶瓷基板之上；

半导体元件，其设置在所述电路图案之上；以及

基座板，其具有与所述第1陶瓷基板的下表面相接的平坦部以及与所述第1陶瓷基板的外缘和上表面相接的厚膜部，

流过所述半导体元件的电流在所述陶瓷间金属中流动。

2.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1陶瓷基板；

第2陶瓷基板；

陶瓷间金属，其具有中间部、第1外缘部以及第2外缘部，其中，该中间部夹在所述第1陶瓷基板的上表面和所述第2陶瓷基板的下表面之间，该第1外缘部在俯视观察时与所述第2陶瓷基板的外缘相比向外侧延伸并与所述中间部连接，该第2外缘部在俯视观察时与所述第2陶瓷基板的外缘相比向外侧延伸并与所述中间部连接；

电路图案，其由金属形成在所述第2陶瓷基板之上；

半导体元件，其设置在所述电路图案之上；

第1导线，其将所述半导体元件和所述第1外缘部电连接；以及

第2导线，其与所述第2外缘部连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

具有基座板，该基座板由金属形成在所述第1陶瓷基板的下表面，

在所述基座板形成有散热片。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，具有：

金属层，其形成在所述第1陶瓷基板的下表面；

第3陶瓷基板，其形成在所述金属层的下表面；以及

基座板，其由金属形成在所述第3陶瓷基板的下表面。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1陶瓷基板；

第2陶瓷基板；

陶瓷间金属，其具有中间部、上攀部、连接部以及外缘部，其中，该中间部夹在所述第1陶瓷基板的上表面和所述第2陶瓷基板的下表面之间，该上攀部形成于所述第2陶瓷基板的上表面，该连接部与所述第2陶瓷基板的外缘相接并将所述中间部和所述上攀部连接，该外缘部在俯视观察时与所述第2陶瓷基板的外缘相比向外侧延伸并与所述中间部连接；

电路图案，其由金属形成在所述第2陶瓷基板之上；

半导体元件，其设置在所述电路图案之上；

第1导电体，其将所述上攀部、所述外缘部中的一方与所述半导体元件电连接；

第2导电体，其与所述上攀部和所述外缘部中的另一方连接；以及

基座板，其具有与所述第1陶瓷基板的下表面相接的平坦部以及与所述第1陶瓷基板的外缘和上表面相接的厚膜部。

6.根据权利要求1、2、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，具有：

集电极端子；以及

发射极端子，其与所述集电极端子相邻地设置，

所述半导体元件的集电极电流或发射极电流在所述陶瓷间金属中流动，

所述集电极端子和所述发射极端子平行地设置。

7.根据权利要求1、2、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有多个所述第2陶瓷基板。

8.根据权利要求1、2、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有多个所述陶瓷间金属。

9.根据权利要求1、2、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有多个所述第1陶瓷基板。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件构成转换器电路和逆变器电路，

所述转换器电路和所述逆变器电路设置在彼此独立的所述第2陶瓷基板之上。