[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201510673818.4 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601722A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的器件层；
在所述器件层上形成的信号线；
以及在所述信号线上方形成的金属屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述器件层上以及所述信号线下方还形成有第一金属层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述信号线的两侧还形成有第二金属层，其中，所述第二金属层位于所述金属屏蔽层下方和所述第一金属层的上方，所述第二金属层和所述第一金属层通过若干第一通孔相连接。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层和所述金属屏蔽层通过若干第二通孔相连接。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层以及所述信号线和所述金属屏蔽层之间、所述第二金属层以及所述信号线和所述第一金属层之间均形成有层间介电层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属屏蔽层接地。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属屏蔽层的材料选自钨、铜、铝、银、锡和金中的一种或几种。
8.一种半导体器件的制造方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有器件层，在所述器件层上形成有第一层间介电层；
步骤S2：在所述第一层间介电层上形成第一金属层；
步骤S3：在所述第一金属层上形成第二层间介电层，并形成贯穿所述第二层间介电层的若干第一通孔；
步骤S4：在所述第二层间介电层上形成信号线以及位于所述信号线两侧的第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第一通孔相连接；
步骤S5：沉积形成第三层间介电层以覆盖所述信号线和所述第二金属层，并形成贯穿所述第三层间介电层与所述第二金属层相连接 的若干第二通孔；
步骤S6：在所述第三层间介电层和所述第二通孔上形成金属屏蔽层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述金属屏蔽层的材料选自钨、铜、铝、银、锡和金中的一种或几种。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述金属屏蔽层接地。
11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件。
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