[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510674342.6 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601619B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；
步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；
步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成界面层；
步骤S4：在所述层间介电层、所述虚拟开口的表面和所述界面层上形成高K介电层和覆盖层；
步骤S5：在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位；
步骤S6：在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；
步骤S7：执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S8：去除所述阻挡层和所述覆盖层，以露出所述高K介电层；
步骤S9：在所述高K介电层上形成功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S10：在所述功函数层上形成导电层，以形成金属栅极。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述步骤S9包括：
步骤S91：在所述高K介电层上形成PMOS功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S92：去除所述NMOS区域中的所述高K介电层上的所述PMOS功函数层，以露出所述高K介电层；
步骤S93：沉积NMOS功函数层，以覆盖露出的所述高K介电层和所述PMOS区域中的所述PMOS功函数层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，在氧气中进行所述低温退火。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述低温退火的温度为500-700℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中，在氮气中进行所述高温退火。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中，所述高温退火的温度为950-1050℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，所述阻挡层选用无定型硅。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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