[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；

步骤S2：在所述输入输出区上的所述半导体衬底上以及所述鳍片底部的侧壁上形成露出目标高度的鳍片的衬垫层；

步骤S3：在所述核心区的所述半导体衬底上、所述鳍片的表面上以及所述输入输出区中的所述衬垫层上和所述鳍片顶部的表面上依次形成含硼材料层和覆盖层；

步骤S4：在所述覆盖层上形成隔离材料层，以部分覆盖所述鳍片，形成所述目标高度的鳍片；

步骤S5：去除露出的所述鳍片上的所述含硼材料层和所述覆盖层，以露出所述鳍片；

步骤S6：执行退火步骤，以使所述含硼材料中的硼扩散至沟道停止区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述核心区和所述输入输出区的所述半导体衬底上和所述鳍片上形成所述衬垫层，以覆盖所述半导体衬底上和所述鳍片；

步骤S22：在所述输入输出区的所述衬垫层上形成第一保护层，以覆盖所述衬垫层；

步骤S23：去除所述核心区中的所述衬垫层，以露出所述半导体衬底和所述鳍片；

步骤S24：在所述核心区中露出所述半导体衬底上和所述鳍片上形成具有第一高度的第二保护层，以完全覆盖所述核心区中的所述半导体衬底和所述鳍片，同时在所述输入输出区中形成具有第二高度的第二保护层，以部分覆盖所述鳍片表面的所述衬垫层，形成所述目标高度的鳍片；

步骤S25：去除所述输入输出区中露出的所述衬垫层，以在所述鳍片底部的侧壁上形成所述衬垫层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S24包括：

步骤S241：在所述核心区的所述鳍片上和所述输入输出区的所述衬垫层上形成具有所述第一高度的所述第二保护层，以完全覆盖所述鳍片和所述衬垫层；

步骤S242：在所述核心区的第二保护层上形成掩膜层；

步骤S243：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述输入输出区中的所述第二保护层至第二高度，以露出所述输入输出区中所述鳍片顶部的所述衬垫层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硼材料层选用含硼玻璃层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

步骤S41：沉积所述隔离材料层，以覆盖所述鳍片；

步骤S42：回蚀刻所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片，形成目标高度的所述鳍片。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有图案化的掩膜层；

步骤S12：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成所述鳍片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6之后还进一步包括去除所述鳍片上的所述掩膜层的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层选用氮化物层。

9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。