[发明专利]一种单晶硅片切割装置及方法

权利要求书

1.一种单晶硅片切割装置，其特征在于，包括多槽线辊(2)以及张设于多槽线辊(2)上的金刚线(1)。

2.如权利要求1所述的一种单晶硅片切割装置，其特征在于，所述多槽线辊(2)为V型或梯形槽主辊，所述金刚线(1)的直径为0.08mm-0.12mm。

3.如权利要求1或2所述的一种单晶硅片切割装置，其特征在于，所述金刚线(1)包括钢线(11)，所述钢线(11)外表面包裹有树脂层(12)，所述树脂层(12)上固定有金刚石颗粒(13)。

4.如权利要求1或2所述的一种单晶硅片切割装置，其特征在于，所述金刚线(1)包括钢线(11)，所述钢线(11)上电镀有金刚石颗粒(13)。

5.一种单晶硅片切割方法，其特征在于，利用单晶硅片切割装置实现，所述单晶硅片切割装置包括多槽线辊(2)以及张设于多槽线辊(2)上的金刚线(1)，该方法具体包括如下步骤：

第一步，将硅棒处理后胶粘于粘接板上；

第二步，将多槽线辊(2)安装在机台上，并将金刚线(1)缠绕于多槽线辊(2)上后设定切割参数，然后将硅棒固定在机台升降台上利用单晶硅片切割装置对硅棒进行切割；

第三步，将硅棒切割为单晶硅片步骤完成后，手动走线提料卸料后，即完成整个单晶硅片切割过程。

6.如权利要求5所述的一种单晶硅片切割方法，其特征碍于，所述第一步中将硅棒处理后胶粘于粘接板上具体包括以下步骤：

先利用胶将粘接板粘连在燕尾板中间位置直至固化粘牢，然后对硅棒的待粘接位置进行喷金刚砂处理，直至喷砂面无亮点、无镜面，最后将硅 棒的待粘连位置胶粘于粘接板上，所述粘接板为树脂板或石墨板。

7.如权利要求5所述的一种单晶硅片切割方法，其特征在于，所述单晶硅片切割装置的多槽线辊(2)为V型或梯形槽主辊，且主辊两端跳动小于10um，所述金刚线(1)的直径为0.08mm-0.12mm。

8.如权利要求5或7所述的一种单晶硅片切割方法，其特征在于，所述金刚线(1)包括钢线(11)，所述钢线(11)外表面包裹有树脂层(12)，所述树脂层(12)上固定有金刚石颗粒(13)；或者所述金刚线(1)包括钢线(11)，所述钢线(11)上电镀有金刚石颗粒(13)。

9.如权利要求5所述的一种单晶硅片切割方法，其特征在于，所述第二步中单晶硅片切割装置的切割参数为：

选择切割周期为0.5min-1.5min的双向切割工艺并根据切割周期确定送、返的金刚线(1)的长度，金刚线(1)的切割速度为800m/min-1000m/min，金刚线(1)的切割张力为12N-22N，硅棒进刀速度为0.3mm/min-1mm/min。

10.如权利要求5所述的一种单晶硅片切割方法，其特征在于，所述手动走线提料卸料时走线速度为2m/min-30m/min，提料速度为10mm/min-40mm/min。