[发明专利]一种单晶硅片切割装置及方法

说明书

技术领域

本发明属于单晶硅片生产技术领域，具体涉及一种单晶硅片切割装置，还涉及一种单晶硅片切割方法。

背景技术

现有的单晶硅棒在切割成单晶硅片时，普遍采用游离砂线的切割方式对单晶硅棒进行磨削处理，这种磨削的切割方式存在生产效率低下、对单晶硅片厚度损伤多的缺点，对于电路级的单晶硅片而言，更是难以达到其对于厚度和表面光洁度的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶硅片切割装置，解决了现有的单晶硅片切割装置存在的对单晶硅片厚度磨损多以及效率低下的问题。

本发明的目的还在于提供一种单晶硅片切割方法，解决了现有的单晶硅片切割效率低下的问题。

本发明所采用的一种技术方案是：一种单晶硅片切割装置，包括多槽线辊以及张设于多槽线辊上的金刚线。

本发明的特点还在于，

多槽线辊为V型或梯形槽主辊，金刚线的直径为0.08mm-0.12mm。

金刚线包括钢线，钢线外表面包裹有树脂层，树脂层上固定有金刚石颗粒。

金刚线包括钢线，钢线上电镀有金刚石颗粒。

本发明所采用的另一种技术方案是：一种单晶硅片切割方法，利用单 晶硅片切割装置实现，单晶硅片切割装置包括多槽线辊以及张设于多槽线辊上的金刚线，该方法具体包括如下步骤：

第一步，将硅棒处理后胶粘于粘接板上；

第二步，将多槽线辊安装在机台上，并将金刚线缠绕于多槽线辊上后设定切割参数，然后将硅棒固定在机台升降台上利用单晶硅片切割装置对硅棒进行切割；

第三步，将硅棒切割为单晶硅片步骤完成后，手动走线提料卸料后，即完成整个单晶硅片切割过程。

本发明的特点还在于，

第一步中将硅棒处理后胶粘于粘接板上具体包括以下步骤：

先利用胶将粘接板粘连在燕尾板中间位置直至固化粘牢，然后对硅棒的待粘接位置进行喷金刚砂处理，直至喷砂面无亮点、无镜面，最后将硅棒的待粘连位置胶粘于粘接板上，所述粘接板为树脂板或石墨板。

单晶硅片切割装置的多槽线辊为V型或梯形槽主辊，且主辊两端跳动小于10um，金刚线的直径为0.08mm-0.12mm。

金刚线包括钢线，钢线外表面包裹有树脂层，树脂层上固定有金刚石颗粒；或者金刚线包括钢线，钢线上电镀有金刚石颗粒。

第二步中单晶硅片切割装置的切割参数为：

选择切割周期为0.5min-1.5min的双向切割工艺并根据切割周期确定送、返的金刚线的长度，金刚线的切割速度为800m/min-1000m/min，金刚线的切割张力为12N-22N，硅棒进刀速度为0.3mm/min-1mm/min。

手动走线提料卸料时走线速度为2m/min-30m/min，提料速度为10mm/min-40mm/min。

本发明的有益效果是：本发明的一种单晶硅片切割装置及方法解决了现有的单晶硅片切割时存在的单晶硅片厚度磨损多以及切割效率低下的问 题。本发明的一种单晶硅片切割装置及方法利用金刚线和多槽线辊将单晶硅片生产过程中的磨削处理改为切削处理，不但大大提高了生产效率、降低了单晶硅片的厚度损伤，而且也提高了单晶硅片的表面光洁度。

附图说明

图1是本发明的一种单晶硅片切割装置的结构示意图；

图2是图1中金刚线的一种结构示意图；

图3是图1中金刚线的另一种结构示意图。

图中，1.金刚线，2.多槽线辊，11.钢线，12.树脂层，13.金刚石颗粒。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明提供的一种单晶硅片切割装置的结构如图1所示，包括多槽线辊2以及张设于多槽线辊2上的金刚线1。

多槽线辊2为V型或梯形槽主辊，金刚线1的直径为0.08mm-0.12mm。

事例性的，金刚线1的结构可以如图2所示，包括钢线11，钢线11外表面包裹有树脂层12，树脂层12上固定有金刚石颗粒13。

事例性的，金刚线1的结构还可以如图3所示，包括钢线11，钢线11上电镀有金刚石颗粒13。

本发明提供的一种单晶硅片切割方法利用单晶硅片切割装置实现，单晶硅片切割装置包括多槽线辊2以及张设于多槽线辊2上的金刚线1，事例性的，单晶硅片切割装置的多槽线辊2为V型或梯形槽主辊，且主辊两端跳动小于10um，金刚线1的直径为0.08mm-0.12mm。