[发明专利]一种抗振型的芯片原子钟物理系统在审
申请号: | 201510682486.6 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN105137741A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 曹远洪;杜润昌;王守云;王植彬 | 申请(专利权)人: | 成都天奥电子股份有限公司 |
主分类号: | G04F5/14 | 分类号: | G04F5/14 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 任远高 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗振型 芯片 原子钟 物理 系统 | ||
1.一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,包括LCC底座(1),焊接在所述LCC底座(1)上的VCSEL载板(2),设置在所述VCSEL载板(2)上的VCSEL组件(3),位于所述VCSEL载板(2)上方且下端固定在所述LCC底座(1)上的陶瓷骨架(4),设置在所述陶瓷骨架(4)上端的光电池(6),以及与所述LCC底座(1)配合将各部件进行真空密封的陶瓷封帽(8);所述陶瓷骨架(4)中空,在所述陶瓷骨架(4)的表面设置有用于传递电信号的电极走线(7),在所述陶瓷骨架(4)内由下至上依次固定有1/4玻片与偏振片(5)和吸收泡组件。
2.根据权利要求1所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述吸收泡组件包括固定在所述陶瓷骨架(4)内的吸收泡载板(9),以及粘接在所述吸收泡载板(9)上的吸收泡(10)和热敏电阻(11)。
3.根据权利要求2所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,在所述吸收泡(10)上表面镀有加热薄膜(12)。
4.根据权利要求3所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述加热薄膜(12)为透明加热薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述陶瓷骨架(4)由三氧化二铝白陶瓷制成。
6.根据权利要求1所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述电极走线(7)通过蒸镀在所述陶瓷骨架(4)表面。
7.根据权利要求1所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述LCC底座(1)和所述陶瓷封帽(8)通过真空密封焊接。
8.根据权利要求1所述的一种抗振型的芯片原子钟物理系统,其特征在于,所述光电池(6)粘接于所述陶瓷骨架(4)上端。
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