[发明专利]发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，其包括：

发光结构，其包括第一导电型半导体层，设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层，设置于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，以及所述第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；

透明电极，其设置于所述第二导电型半导体层上且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；

第一绝缘层，其覆盖所述发光结构和所述透明电极，并且包括分别暴露所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域和所述透明电极的一部分的第一开口和第二开口；

金属层，其至少部分覆盖所述第一绝缘层且延伸至所述第二导电型半导体层的上表面；

第一电极，与所述第一导电型半导体层电连接；以及

第二电极，与所述透明电极电连接，

其中所述透明电极、所述第一绝缘层和所述金属层堆叠的部分为全方向反射器，所述透明电极覆盖所述第二导电型半导体层的整个上表面，且覆盖所述第二导电型半导体层的外周。

2.如权利要求1所述的发光设备，其中所述透明电极包括导电氧化物，所述第一绝缘层包括二氧化硅或者氮化硅，且所述金属层包括反光金属。

3.如权利要求2所述的发光设备，其中所述透明电极包括氧化铟锡，所述第一绝缘层包括SiO₂，且所述金属层包括Ag和/或Al。

4.如权利要求1所述的发光设备，其还包括：

接触电极，其设置于所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域上，

其中所述接触电极由与所述透明电极相同的材料形成。

5.如权利要求1所述的发光设备，其中所述金属层包括：

第一金属层，其通过所述第一开口与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触且延伸至所述第二导电型半导体层的上表面；以及

第二金属层，其通过所述第二开口与所述透明电极接触，

其中所述第一金属层和所述第二金属层彼此分离。

6.如权利要求5所述的发光设备，其进一步包括：

覆盖所述金属层的第二绝缘层，

其中所述第二绝缘层包括暴露所述第一金属层的第三开口和暴露所述第二金属层的第四开口。

7.如权利要求1所述的发光设备，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构上。

8.如权利要求7所述的发光设备，其进一步包括：

绝缘单元，其至少部分覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面，且设置于所述第一电极和所述第二电极之间。

9.如权利要求1所述的发光设备，其中所述第一绝缘层和所述金属层进一步覆盖所述发光结构的侧面的至少一部分。

10.如权利要求1所述的发光设备，其进一步包括：

波长转换层，其设置于所述发光结构的下表面下方。

11.如权利要求1所述的发光设备，其进一步包括：

第二绝缘层，其覆盖所述金属层且包括暴露与所述第一开口对应的区域的第三开口，

其中所述第一电极设置在所述第二绝缘层上，所述透明电极包括从所述发光结构的一个侧面伸出且具有暴露表面的区域，所述第二电极设置在所述透明电极的所述暴露表面上。

12.如权利要求1所述的发光设备，其中所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域形成为通过所述第二导电型半导体层和所述有源层的孔洞形状，且所述发光结构包括至少一个通过所述第二导电型半导体层和所述有源层的孔洞。

13.如权利要求1所述的发光设备，其中所述发光结构包括至少一个包括所述第二导电型半导体层和所述有源层的台面，且所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域设置在所述台面周围。

14.如权利要求1所述的发光设备，其中所述第一绝缘层包括多个彼此分离的纳米杆或者多个彼此分离的纳米孔洞。