[发明专利]发光设备

说明书

本发明提供一种发光设备。所述发光设备包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、有源层及第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；透明电极，其设置于第二导电型半导体层上；第一绝缘层，其包括第一开口和第二开口；金属层，其至少部分覆盖第一绝缘层；与第一导电型半导体层电连接的第一电极；以及与透明电极电连接的第二电极。本发明能够防止发光设备的电特性发生恶化，同时能够改善发光设备的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光设备及其制备方法，尤其涉及展现良好的电特性和光学特性且具有高可靠性的发光设备及其制备方法。

背景技术

近来，随着对小型高输出发光设备的需求日益增长，对于具有良好散热效率的大型倒装型或竖直型发光设备的需求也增长。在倒装型或竖直型发光设备中，电极直接接合第二衬底，从而提供比侧向型发光设备更好的散热效率。因此，倒装型或竖直型发光设备可以在施加大电流时有效地将热传递至第二衬底，且由此可以适用于高输出的光源。

在典型的倒装型或竖直型发光设备中，由于主发光面为生长衬底存在于其上的n型半导体层的表面，因此在p型半导体层上形成能够将光朝向发光面反射的结构。由于这个原因，通常在p型半导体层上设置Ag电极，所述Ag电极能够与p型半导体层形成欧姆接触，同时又充当反射器。

然而，其中这种反射电极被用作p型电极的结构具有下列问题。

首先，在所述反射电极的形成过程中，金属层通过光刻法经受图形化处理，由于其工艺边界的缘故导致难以将Ag覆盖p型半导体层的整个表面。即，p型半导体层和Ag电极之间的欧姆接触面积变小。因此，发光设备的电流注入面积变小，且光在其中未形成反射金属的区域上不会发生反射，从而使发光设备的发光效率恶化。

此外，与p型半导体层接触的反射电极的Ag原子扩散到p型半导体层中，且充当杂质。具体地，这种银原子会通过p型半导体层的缺陷(例如错位)扩散到p型半导体层中。扩散的原子使得半导体层的结晶度恶化，同时增大了电流泄露的可能性，从而使得发光设备的电特性及其他特性恶化。

因此，需要一种新型的发光设备，其能够展现出良好的电特性和光学特性。

发明内容

发明目的

示例性实施例提供了一种能够降低电流泄露的可能性以提供良好的电特性并且能够有效反射从发光区域发出的光以增强光学特性的发光设备，及其制备方法。

技术方案

根据一个示例性实施例，一种发光设备包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层，设置在第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层，设置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，以及第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；透明电极，其设置于第二导电型半导体层上且与第二导电型半导体层形成欧姆接触；第一绝缘层，其覆盖发光结构和透明电极，并且包括分别暴露第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域和透明电极的一部分的第一开口和第二开口；金属层，其至少部分覆盖第一绝缘层且延伸至第二导电型半导体层的上表面；与第一导电型半导体层电连接的第一电极；以及与透明电极电连接的第二电极。

借助这种结构，所述发光设备具有改善的电特性和光学特性。

其中透明电极、第一绝缘层和金属层堆叠的部分可以为全方向反射器。

透明电极可以包括导电氧化物，第一绝缘层可以包括二氧化硅或者氮化硅，且金属层可以包括反光金属。

所述透明电极可以包括氧化铟锡(ITO)，第一绝缘层可以包括SiO₂，金属层可以包括Ag和/或Al。

所述发光设备还可包括在第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域上的接触电极，其中所述接触电极可以由与透明电极相同的材料形成。