[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形；所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部，所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部；所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部，所述第二条状部不增大所述薄膜晶体管的设置面积；该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域，以及所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域；

所述第一电极图形还包括与所述第一条状部的第二端相接的本体部；所述第二条状部的一端与所述本体部的一侧边缘对齐；该薄膜晶体管的沟道的形成区域还包括所述第二条状部与所述本体部之间所夹的区域；所述薄膜晶体管还包括有源层图形；所述薄膜晶体管的沟道的形成区域位于所述有源层图形的设置区域内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极图形和所述第二电极图形上覆盖有绝缘层，所述绝缘层中形成有用于连接所述本体部的过孔。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过孔的形状为圆形、半圆形或者方形。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅电极图形，所述栅电极图形的设置区域包含所述沟道的形成区域。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述弯曲部的形状为U形、L形或者I形。

6.一种如权利要求1至5中任意一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成包括所述第一电极图形与所述第二电极图形的导电层。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括设置在像素区域内的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。