[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，其中的薄膜晶体管包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形；所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部，所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部；所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部；该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域，以及所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域。本发明可以在不增大薄膜晶体管设置面积的前提下增加沟道宽度，从而可以用于器件性能的提升或者设置面积的减小，有利于产品成本的降低和产品性能的提升。

技术领域

本发明涉及显示技术，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

现有的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场控制液晶分子的转动，来呈现所要显示的画面的。由此，像素电极上的电位与像素的灰阶值有着严格的对应关系。而像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT的开启电流等性能参数决定的。相同工艺条件下，TFT的宽长比(W/L，其中的W为沟道宽度、L为沟道长度)对TFT的性能参数起很大作用。

图1是现有技术中一种薄膜晶体管的结构示意图。参见图1，该TFT的沟道即源电极13与漏电极14之间的U形区域内的有源层12，并且其形成区域位于栅电极11的设置区域内。由于工艺能力的限制，TFT的沟道长度(如图1中源电极13与漏电极14的间距)很难被减小，因此提高性能参数的方法主要是增大沟道宽度(如图1中U形的沟道的轨迹长度)，比如将沟道沿任一方向整体拉长。但是，该类方式会增大TFT的大小，从而挤占一部分透光区域的面积、减小像素的开口率，影响显示效果。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，可以在不减小像素开口率的前提下增加薄膜晶体管的宽长比。

第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形；所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部，所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部；所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部；该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域，以及所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域。

可选地，所述第一电极图形还包括与所述第一条状部的第二端相接的本体部。

可选地，所述第一电极图形和所述第二电极图形上覆盖有绝缘层，所述绝缘层中形成有用于连接所述本体部的过孔。

可选地，所述过孔的形状为圆形、半圆形、方形或者长方形。

可选地，所述第二条状部的一端与所述本体部的一侧边缘对齐；该薄膜晶体管的沟道的形成区域还包括所述第二条状部与所述本体部之间所夹的区域。

可选地，所述薄膜晶体管还包括有源层图形；所述薄膜晶体管的沟道的形成区域位于所述有源层图形的设置区域内。

可选地，所述薄膜晶体管还包括栅电极图形，所述栅电极图形的设置区域包含所述沟道的形成区域。

可选地，所述弯曲部的形状为U形、L形或者I形。

第二方面，本发明还提供了一种上述任意一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成包括所述第一电极图形与所述第二电极图形的导电层。

第三方面，本发明还提供了一种阵列基板，包括设置在像素区域内的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为上述任意一种的薄膜晶体管。

第四方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。