[发明专利]在隔离材料上使用RF电路的系统和方法

权利要求书

1.一种增强信号完整性的器件，包括：

芯片；

形成于所述芯片之上的第一层，其中所述第一层具有非隔离特性；

形成于所述芯片上和所述第一层内的第一器件；

目标区域，其中所述芯片的部分已经被去除；

形成于所述目标区域内的隔离模具，其中所述隔离模具具有隔离特性并且包括封装材料，并且所述第一器件在所述目标区域之外；以及

形成于所述第一层上和所述目标区域内的第二器件，其中所述隔离模具向所述第二器件提供所述隔离特性，其中所述第二器件是高频部件。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片具有硅材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片是人造晶片。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片和所述隔离模具由不同材料组成。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述非隔离特性包括电阻率、电容性耦合和电感性耦合，并且在高频部件中导致非线性行为。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具的隔离特性包括自由载流子缺乏和相对高的电阻率中的一项或多项。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具被配置为缓解谐波信号的生成。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二器件包括金属线、电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述电容器为金属电容器。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二器件使用易于受谐波的生成影响的相对高频率的信号。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述封装材料包括包含塑料、缓冲材料和封装剂的组中的一项。

12.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具处于所标识的目标区域之内。

13.根据权利要求1所述的器件，其中所述目标区域包括侧壁。

14.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具具有取决于所述第二器件内的电路的深度。

15.一种用于半导体器件的制造系统，包括：

处理工具，其被配置为在半导体器件上执行制造工艺；以及

控制单元，其被配置为控制所述处理工具并且标识所述器件中具有高频部件的目标区域，去除所述目标区域下方的衬底材料，并且在所述目标区域内形成多个隔离模具。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述目标区域包括金属线、电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。

17.根据权利要求16所述的系统，其中所述电容器为金属电容器。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述隔离模具包括封装材料。

19.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有芯片和形成于其上的多个部件的半导体器件；

标识所述多个部件中处理高频信号的一个或多个高频部件；

标识包括所述一个或多个高频部件的一个或多个目标区域；

去除所述芯片的在所述一个或多个目标区域内的至少耦合区；并且

在所述一个或多个目标区域内形成一个或多个隔离模具。